華為技術有限公司曾秋玲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利一種檢測電路及傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114127915B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980098408.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權一種檢測電路及傳感器是由曾秋玲;劉燕翔;陳贊鋒;夏禹設計研發完成，并于2019-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種檢測電路及傳感器在說明書摘要公布了：一種檢測電路，用于檢測應力對電特性的影響，該檢測電路包括：PMOS管主導自振蕩環101、NMOS管主導自振蕩環102和頻率讀取模塊103；PMOS管主導自振蕩環101的信號路徑中的PMOS管數量大于NMOS管數量；NMOS管主導自振蕩環102的信號路徑中的NMOS管數量大于PMOS管數量；頻率讀取模塊103用于讀取PMOS管主導自振蕩環101或NMOS管主導自振蕩環102輸出的頻率信號。該NMOS管主導自振蕩環102輸出的頻率信號表征應力對NMOS管的電特性影響，PMOS管主導自振蕩環101輸出的頻率信號表征應力對PMOS管的電特性影響。可以根據應力對NMOS管的影響以及PMOS管的影響改善電路的制造工藝，以減少應力對電路的電特性的影響。
本發明授權一種檢測電路及傳感器在權利要求書中公布了：1.一種檢測電路，其特征在于，包括： PMOS管主導自振蕩環、NMOS管主導自振蕩環和頻率讀取模塊； 所述PMOS管主導自振蕩環的信號路徑中的PMOS管數量大于NMOS管數量； 所述NMOS管主導自振蕩環的信號路徑中的NMOS管數量大于PMOS管數量； 所述頻率讀取模塊用于讀取所述PMOS管主導自振蕩環或所述NMOS管主導自振蕩環輸出的頻率信號，所述PMOS管主導自振蕩環輸出的頻率信號表征應力對PMOS管的電特性影響，所述NMOS管主導自振蕩環輸出的頻率信號表征應力對NMOS管的電特性影響。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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