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龍圖騰網(wǎng)獲悉力晶積成電子制造股份有限公司申請(qǐng)的專利非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113284902B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010146226.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/00；該發(fā)明授權(quán)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件及其制造方法是由陳菁華;紀(jì)秉辰;游舜淙;林明源;賴漢昭;周志文;徐震球設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-05向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件及其制造方法，其中該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件包括基底、堆疊結(jié)構(gòu)、反熔絲柵極、柵介電層、第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)。堆疊結(jié)構(gòu)形成于基底上，且包括一浮置柵極、一選擇邏輯柵極、一邏輯柵介電層與一多晶硅層間介電質(zhì)層，其中選擇邏輯柵極設(shè)置于所述浮置柵極上，邏輯柵介電層設(shè)置于所述浮置柵極與所述基底之間，多晶硅層間介電質(zhì)層設(shè)置于浮置柵極與選擇邏輯柵極之間。反熔絲柵極同樣設(shè)置于所述基底上，柵介電層則設(shè)置于反熔絲柵極與基底之間。第一摻雜區(qū)形成于浮置柵極的一側(cè)的基底內(nèi)。第二摻雜區(qū)形成于浮置柵極與反熔絲柵極之間的基底內(nèi)，且一通道區(qū)形成在第二摻雜區(qū)與第一摻雜區(qū)之間。

本發(fā)明授權(quán)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件，所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件為單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于，包括： 基底； 耐高壓的堆疊結(jié)構(gòu)，形成于所述基底上，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括： 浮置柵極； 選擇邏輯柵極，設(shè)置于所述浮置柵極上； 邏輯柵介電層，設(shè)置于所述浮置柵極與所述基底之間；以及 多晶硅層間介電質(zhì)層，設(shè)置于所述浮置柵極與所述選擇邏輯柵極之間； 反熔絲柵極，設(shè)置于所述基底上； 柵介電層，設(shè)置于所述反熔絲柵極與所述基底之間； 第一摻雜區(qū)，形成于所述浮置柵極的一側(cè)的所述基底內(nèi)；以及 第二摻雜區(qū)，形成于所述浮置柵極與所述反熔絲柵極之間的所述基底內(nèi)，且一通道區(qū)形成在所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人力晶積成電子制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。