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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113964080B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010698027.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法是由馮冰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圓，所述晶圓上形成有金屬層；在所述晶圓上形成第一金屬間介電層；對所述第一金屬間介電層進(jìn)行加熱處理；對所述第一金屬間介電層進(jìn)行氧化處理；在所述第一金屬間介電層上形成第二金屬間介電層。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法，通過對第一金屬間介電層進(jìn)行加熱處理和氧化處理，以在第一金屬間介電層和第二金屬間介電層之間的界面處形成致密的氧化層，避免水汽侵蝕以及游離F離子的擴(kuò)散與析出，從而避免了在晶圓邊緣處生成氣泡狀缺陷，提高了晶圓的良率。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供晶圓，所述晶圓上形成有金屬層，所述金屬層包括鋁銅合金； 在所述晶圓上采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積形成第一金屬間介電層的同時，在所述晶圓背面通入流動的氦氣來防止所述晶圓的溫度過高造成熔鋁現(xiàn)象； 對所述第一金屬間介電層進(jìn)行加熱處理； 對所述第一金屬間介電層進(jìn)行氧化處理； 在所述第一金屬間介電層上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成第二金屬間介電層； 其中，所述第一金屬間介電層包括摻氟硅玻璃，所述第二金屬間介電層包括摻氟硅玻璃。

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