意法半導體(R&D)有限公司F·卡克林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體(R&D)有限公司申請的專利像素陣列中使用可重新配置的光電二極管進行高電壓生成獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112565641B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011025033.3,技術領域涉及:H04N25/76;該發明授權像素陣列中使用可重新配置的光電二極管進行高電壓生成是由F·卡克林;J·M·雷諾設計研發完成,并于2020-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本像素陣列中使用可重新配置的光電二極管進行高電壓生成在說明書摘要公布了:本公開的各實施例涉及像素陣列中使用可重新配置的光電二極管進行高電壓生成。一種成像傳感器,包括像素陣列,該像素陣列包含光電二極管,光電二極管通過全厚度深溝槽隔離而彼此隔離。在逐行的基礎上,行控制電路裝置控制像素陣列的哪些行在成像模式中操作以及像素陣列的哪些行在能量收集模式中操作。開關電路裝置選擇性地將在能量收集模式中操作的成行的光電二極管的不同組連接成在電壓輸出線和接地線之間的正向偏置串聯配置,或連接成在電壓輸出線和接地線之間的正向偏置并聯配置。
本發明授權像素陣列中使用可重新配置的光電二極管進行高電壓生成在權利要求書中公布了:1.一種成像傳感器,包括: 像素陣列,所述像素陣列中的每個像素包含光電二極管,所述光電二極管通過全厚度深溝槽隔離而被彼此隔離; 模式選擇電路裝置,被配置為控制所述像素陣列中的哪些像素組在成像模式中操作、以及所述像素陣列中的哪些像素組在能量收集模式中操作;以及 開關電路裝置,被配置為選擇性地將在所述能量收集模式中操作的成行的光電二極管的不同組連接成電壓輸出線和接地線之間的正向偏置串聯配置,或連接成所述電壓輸出線和所述接地線之間的正向偏置并聯配置; 其中針對給定像素組的每個第一像素,所述模式選擇電路裝置包括成像選擇晶體管和能量收集選擇晶體管,當在所述成像模式中時,所述成像選擇晶體管將所述像素的所述光電二極管的陽極耦合到接地,當處于所述能量收集模式時,所述能量收集選擇晶體管將所述像素的所述光電二極管的陰極耦合到接地;并且 其中針對所述給定像素組的、除所述給定像素組的所述第一像素以外的每個像素,所述模式選擇電路裝置包括成像選擇晶體管和能量收集選擇晶體管,當在所述成像模式中時,所述成像選擇晶體管將所述像素的所述光電二極管的陽極耦合到接地,當在所述能量收集模式中時,所述能量收集選擇晶體管將所述像素的所述光電二極管的陰極耦合到針對所述像素的所述開關電路裝置; 其中針對所述給定像素組的、除所述給定像素組的最后像素之外的每個像素,所述開關電路裝置包括: 傳輸門,選擇性地將所述像素的所述光電二極管的所述陽極耦合到所述給定像素組的下一像素的所述能量收集選擇晶體管;以及 選擇晶體管,當所述傳輸門未將所述像素的所述光電二極管的所述陽極耦合到所述給定像素組的所述下一像素的所述能量收集選擇晶體管時,將所述給定像素組的所述下一像素的所述能量收集選擇晶體管選擇性地耦合到接地。
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