瑞昱半導體股份有限公司洪武獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉瑞昱半導體股份有限公司申請的專利內存控制器及其控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114550775B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011328277.9，技術領域涉及：G11C16/10；該發明授權內存控制器及其控制方法是由洪武;王道富;荊永鵬設計研發完成，并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本內存控制器及其控制方法在說明書摘要公布了：一種內存控制器用于存取多個NAND內存晶粒dies。內存控制器包括內部存儲器、輸出選擇電路、控制電路及數據存取電路。內部存儲器用于儲存所述NAND內存晶粒對應的多組存取設置值。輸出選擇電路耦接于內部存儲器，用于根據輸出選擇信號選定一NAND內存晶粒的一組存取設置值。控制電路耦接于輸出選擇電路，用于當存取所述NAND內存晶粒時，產生輸出選擇信號。數據存取電路耦接于輸出選擇電路，用于根據該組存取設置值，存取NAND內存晶粒。
本發明授權內存控制器及其控制方法在權利要求書中公布了：1.一種控制內存控制器的方法，所述內存控制器耦接于多個NAND內存晶粒，所述內存控制器包括一第一內部存儲器、一輸出選擇電路、一輸入選擇電路、一控制電路、一中央控制單元及一數據存取電路，所述輸出選擇電路耦接于所述第一內部存儲器，所述控制電路及所述數據存取電路耦接于所述輸出選擇電路，所述方法包括： 所述輸入選擇電路根據所述控制電路傳來的一輸入選擇信號將一組預設存取設置值輸出至所述第一內部存儲器，以更新一NAND內存晶粒的一組存取設置值；所述輸出選擇電路根據所述控制電路傳來的一輸出選擇信號選定所述一組存取設置值； 所述數據存取電路根據所述一組存取設置值對所述NAND內存晶粒進行一低速寫入操作； 所述數據存取電路根據所述一組存取設置值對所述NAND內存晶粒進行一高速讀取操作；及 所述中央控制單元根據所述高速讀取操作所獲得的數據，判定所述一組存取設置值中的一終端電阻是否可用。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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