浙江馳拓科技有限公司孫一慧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695649B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011622212.5，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結是由孫一慧;孟凡濤;簡紅;宮俊錄設計研發完成，并于2020-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結在說明書摘要公布了：本發明屬于磁阻器件技術領域，尤其涉及一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結。本發明提供的自由層設置于勢壘層上，包括至少兩層磁性層，相鄰磁性層之間設置有耦合層；每層所述磁性層均采用磁控濺射沉積而成；與所述勢壘層相接觸的磁性層在至少兩種不同的磁控濺射功率下沉積形成，且在近勢壘層一側的磁控濺射功率最小。本發明在傳統自由層結構基礎上通過降低臨近勢壘層的磁性層沉積功率，可以在保持磁性層厚度不變的條件下，大幅提升自由層垂直磁各向異性場Hk，減小界面損傷，提升MRAM的數據保持能力dataretention。
本發明授權一種MRAM的自由層及其制備方法和MRAM的磁隧道結在權利要求書中公布了：1.一種MRAM的自由層，設置于勢壘層上，其特征在于，包括至少兩層磁性層，相鄰磁性層之間設置有耦合層； 每層所述磁性層均采用磁控濺射沉積而成； 與所述勢壘層相接觸的磁性層在至少兩種不同的磁控濺射功率下沉積形成，且在近勢壘層一側的磁控濺射功率最小； 與所述勢壘層相接觸的磁性層在近勢壘層一側的磁控濺射功率為10～150W；與所述勢壘層相接觸的磁性層中在最小磁控濺射功率下沉積的厚度為0.1～0.5nm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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