買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203716B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110006567.X，技術領域涉及：H10B43/10；該發明授權半導體存儲裝置是由永嶋賢史;荒井史隆設計研發完成，并于2021-01-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了：實施方式提供一種抑制存儲單元的倒塌并且使集成密度提高的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置具備：第1積層體，沿著第1方向積層；第2積層體，沿著第1方向積層；及第1結構體，包含至少1個存儲器結構體，且設置在第1積層體與第2積層體之間。至少1個存儲器結構體包含第1半導體膜、第1電荷蓄積膜、第2半導體膜及第2電荷蓄積膜，第1積層體及第2積層體分別包含：第1部分、第2部分及第3部分，分別沿著與第1方向交叉的第2方向延伸，其中，第1部分在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上設置在第2部分與第3部分之間；第4部分，將第1部分與第2部分連接；及第5部分，將第1部分與第3部分連接；且第1積層體的第2部分在第3方向上設置在第2積層體的第1部分與第2積層體的第3部分之間。

本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，具備： 第1積層體，包含沿著第1方向積層的多個第1導電體； 第2積層體，包含沿著所述第1方向積層的多個第2導電體；及 第1結構體，包含至少1個存儲器結構體，且設置在所述第1積層體與所述第2積層體之間； 所述至少1個存儲器結構體包含： 第1半導體膜及第2半導體膜，分別沿著所述第1方向延伸； 第1電荷蓄積膜，在所述第1積層體與所述第1半導體膜之間沿著所述第1方向延伸；及 第2電荷蓄積膜，在所述第2積層體與所述第2半導體膜之間沿著所述第1方向延伸； 所述第1積層體及所述第2積層體分別包含： 第1部分、第2部分及第3部分，分別沿著與所述第1方向交叉的第2方向延伸，其中，所述第1部分在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上設置在所述第2部分與所述第3部分之間； 第4部分，將所述第1部分與所述第2部分連接；及 第5部分，將所述第1部分與所述第3部分連接；且 所述第1積層體的所述第2部分在所述第3方向上設置在所述第2積層體的所述第1部分與所述第2積層體的所述第3部分之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人鎧俠股份有限公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。