買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114639633B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110171380.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法是由賴朝文;龔耀雄設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-02-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：形成犧牲材料層及導(dǎo)電元件，犧牲材料層側(cè)向鄰接導(dǎo)電元件；在導(dǎo)電元件及犧牲材料層上形成遮罩圖案；根據(jù)遮罩圖案移除犧牲材料層的一部分，以露出剩余的犧牲材料層的側(cè)表面；以及從剩余的犧牲材料層的側(cè)表面進(jìn)行等離子蝕刻工藝，以完全移除剩余的犧牲材料層而形成鄰接導(dǎo)電元件的氣隙區(qū)。此方法通過形成犧牲材料層、移除犧牲材料層的一部分以及從剩余的犧牲材料層的側(cè)表面進(jìn)行等離子蝕刻工藝以完全移除剩余的犧牲材料層，從而形成位于兩導(dǎo)電元件之間的氣隙區(qū)其介電常數(shù)為1，以有效降低兩導(dǎo)電元件之間的寄生電容。

本發(fā)明授權(quán)具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有氣隙區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括： 形成犧牲材料層及導(dǎo)電元件，所述犧牲材料層側(cè)向鄰接導(dǎo)電元件； 在所述導(dǎo)電元件及所述犧牲材料層上形成遮罩圖案； 根據(jù)所述遮罩圖案移除所述犧牲材料層的一部分，以露出剩余的所述犧牲材料層的一側(cè)表面；以及 從剩余的所述犧牲材料層的所述側(cè)表面進(jìn)行等離子蝕刻工藝，以完全移除剩余的所述犧牲材料層而形成鄰接所述導(dǎo)電元件的所述氣隙區(qū)，其中剩余的所述犧牲材料層的寬度小于或等于5納米。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市泰山區(qū)南林路98號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。