格芯(美國)集成電路科技有限公司M·D·萊維獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格芯(美國)集成電路科技有限公司申請的專利多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區的結構及相關方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114078743B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110924121.5，技術領域涉及：H01L21/763；該發明授權多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區的結構及相關方法是由M·D·萊維;S·P·埃杜蘇米利設計研發完成，并于2021-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區的結構及相關方法在說明書摘要公布了：本發明涉及多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區的結構及相關方法。一種結構包括絕緣體上半導體SOI襯底，其包括半導體襯底、位于半導體襯底上方的掩埋絕緣體層和位于掩埋絕緣體層上方的SOI層。該結構還包括第一有源器件和第二有源器件。至少一個多晶有源區填充形狀位于SOI層中。多晶隔離區位于掩埋絕緣體層下方的半導體襯底中。多晶隔離區位于第一有源器件下方，但不位于第二有源器件下方。多晶隔離區延伸到半導體襯底中的不同深度。第一和第二有源器件可以包括單晶有源區，第三多晶有源區也可以位于多晶隔離區上方的SOI層中。
本發明授權多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區的結構及相關方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括： 絕緣體上半導體SOI襯底，其包括半導體襯底、位于所述半導體襯底上方的掩埋絕緣體層，以及位于所述掩埋絕緣體層上方的SOI層； 位于所述SOI層中的至少一個多晶有源區填充形狀； 位于所述SOI層中的第一有源器件和第二有源器件；以及 位于所述掩埋絕緣體層下方的所述半導體襯底中的多晶隔離區， 其中所述多晶隔離區位于所述第一有源器件下方，但不位于所述第二有源器件下方。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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