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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114883336B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210418472.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/42；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法是由鄭鴻柱;張利東設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制造方法中，先在存儲單元區(qū)和邏輯電路區(qū)中形成第一氧化層和氮化硅層；然后，對邏輯電路區(qū)進(jìn)行保護(hù)，并對存儲單元區(qū)執(zhí)行第一刻蝕工藝，以去除存儲單元區(qū)中柵極結(jié)構(gòu)頂部和襯底上的氮化硅層；接著，在存儲單元區(qū)和邏輯電路區(qū)中沉積第二氧化層，并對存儲單元區(qū)和邏輯電路區(qū)執(zhí)行第二刻蝕工藝，以在存儲單元區(qū)和邏輯電路區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成ONO結(jié)構(gòu)的側(cè)墻。利用本發(fā)明提供的制造方法，對邏輯電路區(qū)僅執(zhí)行一次刻蝕工藝，有效防止發(fā)生過刻蝕，保護(hù)側(cè)墻結(jié)構(gòu)不被損傷，確保后續(xù)工藝不受影響，從而有助于提高器件良率和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于， 提供襯底，所述襯底包括存儲單元區(qū)和邏輯電路區(qū)，所述存儲單元區(qū)和所述邏輯電路區(qū)中均形成有柵極結(jié)構(gòu)； 依次形成第一氧化層和氮化硅層，覆蓋各個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)及所述襯底； 在所述邏輯電路區(qū)中覆蓋保護(hù)層，并將所述存儲單元區(qū)暴露出來； 采用第一刻蝕工藝，刻蝕去除所述存儲單元區(qū)中位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部和所述襯底上的氮化硅層； 去除所述邏輯電路區(qū)中的所述保護(hù)層； 形成第二氧化層，覆蓋各個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)及所述襯底，其中，在所述存儲單元區(qū)中，所述第二氧化層填滿相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的空隙； 采用第二刻蝕工藝，刻蝕去除所述存儲單元區(qū)中位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部和所述柵極結(jié)構(gòu)之間的第二氧化層和第一氧化層，以及去除所述邏輯電路區(qū)中位于所述柵極結(jié)構(gòu)和所述襯底上的第二氧化層、氮化硅層和第一氧化層，以在所述存儲單元區(qū)和所述邏輯電路區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海華力微電子有限公司，其通訊地址為：201315 上海市浦東新區(qū)良騰路6號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。