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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州吳夕江科技有限公司申請的專利一種HfO₂基鐵電薄膜及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115207111B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210733885.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/68；該發(fā)明授權(quán)一種HfO₂基鐵電薄膜及其制備方法是由蔣然;劉穎巧;孫立瑩;陸云龍;黃季甫;吳夕;黃強;孟雨;蔣成霖設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種HfO₂基鐵電薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種HfO2基鐵電薄膜，包括襯底層，襯底層的上表面從下到上依次設(shè)置有底電極層、第一HfO2基薄膜層、HfSe2散片層、第二HfO2基薄膜層和頂電極層，本發(fā)明還提供了上述HfO2基鐵電薄膜的制備方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點：本發(fā)明通過將二維HfSe2嵌入層界面固定氧空位，規(guī)律晶格錯位引入非對稱性鐵電相核，顯著提高HfO2鐵電薄膜的極化強度，具體表現(xiàn)為將HfO2鐵電薄膜的極化值提高至接近于理論值。

本發(fā)明授權(quán)一種HfO₂基鐵電薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種HfO2基鐵電薄膜，其特征在于，包括襯底層1，所述襯底層1的上表面從下到 上依次設(shè)置有底電極層2、第一HfO2基薄膜層3、HfSe2散片層4、第二HfO2基薄膜層5 和頂電極層6，所述HfO2基鐵電薄膜的制備方法具體包括如下步驟：S1、預(yù)先對襯底層1進(jìn)行清洗； S2、在步驟S1清洗后的襯底層1上沉積底電極層2； S3、在步驟S2中沉積的底電極層2上沉積第一HfO2基薄膜層3； S4、在步驟S3中沉積的第一HfO2基薄膜層3上覆蓋HfSe2散片層4； S5、在步驟S4中的覆蓋的HfSe2散片層4上沉積第二HfO2基薄膜層5； S6、對步驟S5中沉積的第二HfO2基薄膜層5表面進(jìn)行退火處理； S7、在步驟S6中經(jīng)退火處理后的第二HfO2基薄膜層5上沉積頂電極層6得HfO2基鐵電薄膜； 所述步驟S4中，HfSe2單層散片的制備方法如下：將化學(xué)氣相傳輸方法合成的塊狀HfSe2進(jìn)行機械剝離，通過標(biāo)準(zhǔn)的機械剝離HfSe2薄片，具體步驟為：片狀的HfSe2并以丙酮丙醇浸泡的方式進(jìn)行清洗，然后在氮氣環(huán)境下在O2和H2O3ppm手套箱中使用低殘留的熱脫模帶進(jìn)行脫離； 所述步驟S6中，退火處理具體包括如下步驟：在氮氣保護(hù)氣氛下以5℃min的升溫速率加熱到150℃后保溫5min、以3℃min的升溫速率加熱到250℃后保溫5min、以23℃min的升溫速率加熱到400℃后保溫5min、以10℃min的升溫速率加熱到450℃后保溫5min，最后再以10℃min的升溫速率加熱到800℃并保溫2min，最后冷卻至室溫。

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