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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請的專利一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法及產(chǎn)品獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115666215B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210789249.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法及產(chǎn)品是由鄧?yán)诿?馬浩然;段軍;熊偉;高輝;陳天庭;劉翌;喬亞慶;楊少睿;李昊天設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法及產(chǎn)品在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于電磁結(jié)構(gòu)與激光加工相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法，包括：在絕緣基體表面沉積高阻態(tài)記憶相變膜層和透射性保護(hù)層；通過不同阻態(tài)相變參數(shù)的脈沖激光對沉積的記憶相變膜層進(jìn)行可逆誘導(dǎo)相變；采用激光掃描直接寫入或掩膜投影加工，制得所需的頻率選擇表面產(chǎn)品。通過本發(fā)明，能夠以高效可控、可靠性好的方式實(shí)現(xiàn)頻率選擇表面的制備、修改和重構(gòu)功能。所制得的產(chǎn)品具有非易失性以及較強(qiáng)的穩(wěn)定性能，可對諧振單元圖形尺寸和陣列進(jìn)行重復(fù)修改，確保復(fù)雜曲面的頻率選擇表面制備精度和質(zhì)量，同時(shí)可大范圍改變頻率選擇表面的諧振頻率及傳輸通帶。該制備方法還具備無污染、對絕緣基體表面不產(chǎn)生任何損傷等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法及產(chǎn)品在權(quán)利要求書中公布了：1.一種激光擦寫式頻率選擇表面的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟： 步驟一：采用薄膜沉積技術(shù)，在絕緣基體（1）的表面依次沉積高阻態(tài)記憶相變膜層（2）和透射性保護(hù)層（3）；其中，所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）是由碲化鍺和碲化銻組成的偽二元合金材料，且摻雜有包括銀、氮之類的元素；該材料具有晶態(tài)和非晶態(tài)的兩種結(jié)構(gòu)形式，其在脈沖激光的激勵(lì)下實(shí)現(xiàn)快速狀態(tài)切換，并伴隨著折射率、電導(dǎo)率這些物理性質(zhì)的變化； 步驟二：輸出脈沖寬度不大于納秒、并且功率密度設(shè)定為1×1017Wm3至7.5×1017Wm3的脈沖激光，使該脈沖激光透過所述透射性保護(hù)層（3）對所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）進(jìn)行區(qū)域選擇性照射，且使得照射區(qū)域溫度達(dá)到相變閾值溫度，由此形成圖案化低阻態(tài)相變膜層陣列結(jié)構(gòu)（11）構(gòu)成的貼片式諧振單元圖案陣列；或者 首先輸出脈沖寬度不大于納秒、并且功率密度設(shè)定為1×1017Wm3至7.5×1017Wm3的脈沖激光，將全區(qū)域的所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）轉(zhuǎn)換為低阻態(tài)膜層，再輸出脈沖寬度不大于納秒、并且功率密度為8×1017Wm3至10×1017Wm3的脈沖激光，使該脈沖激光透過所述透射性保護(hù)層（3）對所述低阻態(tài)膜層進(jìn)行區(qū)域選擇性照射，且使得照射區(qū)域溫度達(dá)到熔化閾值溫度并快速降溫冷卻，由此形成圖案化高阻態(tài)相變膜層陣列結(jié)構(gòu)（12）構(gòu)成的縫隙式諧振單元圖案陣列； 步驟三：采用掩膜投影加工法及通過激光投影裝置來形成頻率選擇表面，其中，根據(jù)諧振單元圖形陣列結(jié)構(gòu)制備相應(yīng)的掩膜板（10），貼附在所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）與所述透射性保護(hù)層（3）的表面上方，再采用脈沖激光經(jīng)過所述掩膜板（10）的透光區(qū)域和所述透射性保護(hù)層（3），對所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）的相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行擺動(dòng)照射，圖案化寫入由所述圖案化低阻態(tài)相變膜層陣列結(jié)構(gòu)（11）構(gòu)成的貼片式諧振單元圖案陣列或者由所述圖案化高阻態(tài)相變膜層陣列結(jié)構(gòu)（12）構(gòu)成的縫隙式諧振單元圖案陣列，并形成具有穩(wěn)定諧振頻點(diǎn)和傳輸通帶的頻率選擇表面； 所述激光投影裝置由激光光源、光束整形系統(tǒng)、三維偏擺掃描系統(tǒng)、聚焦系統(tǒng)及掩膜系統(tǒng)構(gòu)成，其中所述掩膜系統(tǒng)包括覆蓋于所述高阻態(tài)記憶相變膜層（2）上的頻率選擇表面圖案掩膜板；所述激光光源輸出中心波長為300nm至1200nm、脈沖寬度不大于納秒的脈沖激光，經(jīng)所述聚焦系統(tǒng)獲得所需的脈沖激光功率密度，通過所述三維偏擺掃描系統(tǒng)對所述掩膜系統(tǒng)進(jìn)行偏擺掃描，聚焦激光束經(jīng)由所述頻率選擇表面圖案掩膜板直接圖案化誘導(dǎo)記憶膜層相變，實(shí)現(xiàn)頻率選擇表面諧振圖案的快速制備； 對于上述制得的頻率選擇表面而言，其具備如下的多種工作模式： 第一重構(gòu)模式：采用脈沖寬度不大于納秒的聚焦脈沖激光，輸出可使相變膜層達(dá)到相變閾值溫度的脈沖激光功率密度，或輸出使相變膜層達(dá)到熔化閾值溫度的功率密度并快速冷卻，選擇性誘導(dǎo)記憶相變膜層的部分區(qū)域正向或逆向相變，寫入或擦去諧振單元圖形的部分結(jié)構(gòu)，修改諧振單元圖案； 第二重構(gòu)模式：采用脈沖寬度不大于納秒的聚焦脈沖激光，輸出可使相變膜層達(dá)到相變閾值溫度的脈沖激光功率密度，增加諧振單元圖形尺寸；或輸出使相變膜層達(dá)到熔化閾值溫度的功率密度并快速冷卻，減小諧振單元圖形尺寸； 第三重構(gòu)模式：采用脈沖寬度不大于納秒的脈沖激光，輸出可使相變膜層達(dá)到熔化閾值溫度的功率密度并快速冷卻，誘導(dǎo)記憶相變膜層逆向相變，恢復(fù)原始的高阻態(tài)，擦去寫入的整個(gè)諧振單元圖形結(jié)構(gòu)陣列；然后再采用脈沖寬度不大于納秒的脈沖激光，輸出可使相變膜層達(dá)到相變閾值溫度的脈沖激光功率密度，誘導(dǎo)記憶相變膜層從高阻態(tài)快速轉(zhuǎn)換為低阻態(tài)，控制脈沖激光掃描軌跡，重新寫入另一種諧振單元圖形結(jié)構(gòu)陣列，從而實(shí)現(xiàn)重構(gòu)復(fù)雜曲面頻率選擇表面的諧振工作點(diǎn)制備功能； 第四重構(gòu)模式：采用脈沖寬度不大于納秒的脈沖激光，輸出可使相變膜層達(dá)到相變閾值溫度的脈沖激光功率密度，誘導(dǎo)貼片型導(dǎo)電圖形周圍區(qū)域記憶相變膜層從高阻態(tài)快速轉(zhuǎn)換為低阻態(tài)，構(gòu)建具有與貼片型頻率選擇表面濾波功能不同的網(wǎng)柵陣列結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)電磁傳輸特性轉(zhuǎn)換功能。

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