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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利測試方法、測試電路、控制器和半導(dǎo)體存儲器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115825568B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211362841.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R27/08；該發(fā)明授權(quán)測試方法、測試電路、控制器和半導(dǎo)體存儲器是由楊杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-11-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本測試方法、測試電路、控制器和半導(dǎo)體存儲器在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N測試方法、測試電路、控制器和半導(dǎo)體存儲器，在預(yù)設(shè)溫度下對晶體管的柵極施加正偏置電壓，控制晶體管的柵氧化層中的可動離子電荷遠離晶體管的柵極和柵氧化層之間的界面，測試對柵極施加擾動信號時，晶體管的第一交流阻抗譜。并在預(yù)設(shè)溫度下對晶體管的柵極施加負偏置電壓，控制柵氧化層中的可動離子電荷運動至柵極和柵氧化層之間的界面，測試對柵極施加擾動信號時，晶體管的第二交流阻抗譜。負偏置電壓下晶體管的等效電路與正偏置電壓下晶體管的等效電路相比，多出一個可動離子電荷的電容和可動離子電荷的電阻的串聯(lián)電路。因此第二交流阻抗譜和第一交流阻抗譜的區(qū)別在于可動離子電荷的影響，從而可以獲得可動離子電荷的特征頻率。

本發(fā)明授權(quán)測試方法、測試電路、控制器和半導(dǎo)體存儲器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種測試方法，其特征在于，所述方法包括： 在預(yù)設(shè)溫度下對晶體管的柵極施加正偏置電壓，控制所述晶體管的柵氧化層中的可動離子電荷遠離所述晶體管的柵極和柵氧化層之間的界面，對所述柵極施加擾動信號，測試所述晶體管的第一交流阻抗譜； 在所述預(yù)設(shè)溫度下對所述柵極施加負偏置電壓，控制所述可動離子電荷運動至所述柵極和所述柵氧化層之間的界面，對所述柵極施加所述擾動信號，測試所述晶體管的第二交流阻抗譜； 根據(jù)所述第一交流阻抗譜和所述第二交流阻抗譜獲得所述可動離子電荷的特征頻率。

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