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龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學(xué)申請的專利一種原位互連的感存算一體化集成器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116033822B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211603584.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種原位互連的感存算一體化集成器件及其制備方法是由孟佳琳;王天宇;陳琳;孫清清;張衛(wèi)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種原位互連的感存算一體化集成器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種原位互連的感存算一體化集成器件及其制備方法。該原位互連的感存算一體化集成器件包括：襯底，其形成有間隔排列的第一凹槽結(jié)構(gòu)；神經(jīng)形態(tài)器件，包括底電極，功能層和頂電極，依次形成在第一凹槽結(jié)構(gòu)中，第一隔離層，形成在神經(jīng)形態(tài)器件的頂電極上，其形成有多個(gè)間隔分布的通孔；第二隔離層，形成在第一凹槽結(jié)構(gòu)間的襯底表面；傳感器件的底電極，其填充通孔，并覆蓋第一隔離層表面和第二隔離層間的襯底表面；間隔排列的第二凹槽結(jié)構(gòu)，形成在傳感器件的底電極上，第二凹槽結(jié)構(gòu)的位置與通孔的位置相對應(yīng)；傳感器件的功能層，形成在第二凹槽結(jié)構(gòu)的底部和側(cè)壁；光電傳感器的頂電極，形成在傳感器件的功能層上并填充第二凹槽結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)一種原位互連的感存算一體化集成器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種原位互連的感存算一體化集成器件制備方法，其特征在于， 包括以下步驟： 在襯底中形成間隔排列的第一凹槽結(jié)構(gòu)； 在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)中依次生長神經(jīng)形態(tài)器件的底電極，功能層和頂電極，以及第一隔離層，完成第一凹槽結(jié)構(gòu)的填充； 在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)間的襯底表面形成第二隔離層； 在所述第一隔離層中刻蝕形成間隔分布的多個(gè)通孔，使其貫穿第一隔離層； 形成傳感器件的底電極，使其填充所述通孔，并覆蓋第一隔離層表面和第二隔離層間的襯底表面； 在傳感器件的底電極上形成間隔排列的第二凹槽結(jié)構(gòu)，所述第二凹槽結(jié)構(gòu)的位置與所述通孔的位置相對應(yīng)； 在所述第二凹槽結(jié)構(gòu)的底部和側(cè)壁形成傳感器件的功能層； 在傳感器件的功能層上形成光電傳感器的頂電極，使其填充所述第二凹槽結(jié)構(gòu)，從而完成原位互連的感存算一體化集成器件的制備， 光電傳感器對光信號采集后直接垂直輸入進(jìn)入神經(jīng)形態(tài)器件進(jìn)行處理與存儲，實(shí)現(xiàn)感存算一體化集成的功能， 其中，所述神經(jīng)形態(tài)器件的功能層為鉿基摻雜薄膜；所述傳感器件的功能層包括第一功能層和第二功能層，其中，第一功能層為納米片，第二功能層為無機(jī)鈣鈦礦納米晶；所述納米片為PtTe2、PtSe2、PdTe2、PdSe2、SnTe2或SnSe2。

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