上海天岳半導體材料有限公司隋曉明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海天岳半導體材料有限公司申請的專利一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119265695B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310837065.0，技術領域涉及：C30B23/02；該發明授權一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底是由隋曉明;馬立興;劉碩;王立鳳;劉家朋;王昆鵬;張林;楊恒;王穎慧設計研發完成，并于2023-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底在說明書摘要公布了：本申請公開了一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底，屬于碳化硅生產加工技術領域。碳化硅襯底包括第一主表面和第二主表面；第一主表面具有第一梯度應力區間、圍繞所述第一梯度應力區間的第二梯度應力區間和圍繞第二梯度應力區間的第三梯度應力區間，第三梯度應力區間自襯底邊緣向內延伸的寬度為2.5?30mm，所述第二梯度應力區間自第三梯度應力區間邊緣向內延伸的寬度為10?50mm；第一梯度應力區間的體內相對應力大于等于第二梯度應力區間的體內相對應力，且小于第三梯度應力區間的體內相對應力。該碳化硅襯底各個區域內體內相對應力均勻過渡，并實現呈階梯分布，能夠提高碳化硅襯底的質量，擴大該碳化硅襯底的使用范圍。
本發明授權一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底在權利要求書中公布了：1.一種應力呈階梯分布的碳化硅襯底，其特征在于，所述碳化硅襯底的直徑為150mm以上，所述碳化硅襯底包括第一主表面和第二主表面； 所述第一主表面具有第一梯度應力區間、圍繞所述第一梯度應力區間的第二梯度應力區間和圍繞所述第二梯度應力區間的第三梯度應力區間，所述第三梯度應力區間自襯底邊緣向內延伸的寬度為2.5-30mm，所述第二梯度應力區間自第三梯度應力區間邊緣向內延伸的寬度為10-50mm； 所述第一梯度應力區間的體內相對應力大于等于所述第二梯度應力區間的體內相對應力，且小于所述第三梯度應力區間的體內相對應力，所述體內相對應力為自所述第一主表面或第二主表面向碳化硅襯底內垂直延伸至少3μm處檢測的應力值。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海天岳半導體材料有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區鴻音路1211號10幢301室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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