電子科技大學;成都信息工程大學劉一臻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學;成都信息工程大學申請的專利PbSe紅外探測薄膜及其制備方法以及紅外探測器獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116904936B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202310853012.8，技術領域涉及：C23C14/30；該發(fā)明授權PbSe紅外探測薄膜及其制備方法以及紅外探測器是由劉一臻;牛曉濱;孫輝設計研發(fā)完成，并于2023-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本PbSe紅外探測薄膜及其制備方法以及紅外探測器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種PbSe紅外探測薄膜及其制備方法以及紅外探測器，該PbSe紅外探測薄膜的制備方法包括：采用預敏化的靶材通過物理氣相沉積法在基板上沉積PbSe薄膜。預敏化的靶材通過預敏化而在靶材中摻入氧化性元素，則進一步通過物理氣相沉積即可在各類基底上直接制備出元素分布均勻的敏化PbSe薄膜，進而無需再進行高溫敏化步驟，即避免了高溫過程下造成的元素偏析，同時也克服了因為高溫限制而導致無法在柔性有機材料等襯底上的缺陷，便于與現代電子制造技術兼容。因此，該PbSe紅外探測薄膜的制備方法簡化了PbSe紅外探測器的制備工藝，極大的降低了成本，為PbSe應用于大面積高精度柔性可穿戴紅外探測器提供了可能性。
本發(fā)明授權PbSe紅外探測薄膜及其制備方法以及紅外探測器在權利要求書中公布了：1.一種PbSe紅外探測薄膜的制備方法，其特征在于，其包括：采用預敏化的靶材通過物理氣相沉積法在基板上沉積PbSe薄膜； 所述靶材的材質為PbSe。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人電子科技大學;成都信息工程大學，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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