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龍圖騰網獲悉四川永祥多晶硅有限公司申請的專利一種多晶硅還原過程控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117088376B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311177384.X，技術領域涉及：C01B33/03；該發明授權一種多晶硅還原過程控制方法是由余濤;劉逸楓設計研發完成，并于2023-09-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多晶硅還原過程控制方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多晶硅還原過程控制方法，涉及多晶硅還原技術領域。首先將回收精餾提純的二氯硅烷，以及合成精餾得到的三氯硅烷，輸送至精制料罐區中混合；然后將混合后的物料輸送至氯硅烷汽化器中進行汽化，并將汽化后的物料輸送至靜態混合器中與氫氣混合，再將混合物料輸送至還原爐中進行還原反應；最后對還原爐還原反應產生的尾氣進行回收，并將包含二氯硅烷的尾氣輸送至前面的回收精餾中進行回收精餾。其控制二氯硅烷單一控制因素對還原指標的影響，大大降低了其他控制方案對產品質量和系統造成的影響；可以實現相對范圍內不同二氯硅烷濃度下的還原控制方案，適應市場產品結構的需要。

本發明授權一種多晶硅還原過程控制方法在權利要求書中公布了：1.一種多晶硅還原過程控制方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、將回收精餾提純的二氯硅烷，以及合成精餾得到的三氯硅烷，輸送至精制料罐區中混合； 所述S1步驟為三氯硅烷精制工藝，所述三氯硅烷精制工藝包括：利用合成精餾工藝得到三氯硅烷產品Ⅰ，利用回收精餾工藝得到三氯硅烷產品Ⅱ，將三氯硅烷產品Ⅰ和三氯硅烷產品Ⅱ充分混合后得到三氯硅烷產品Ⅲ； 所述S1步驟中，二氯硅烷的濃度控制方法為： S11、在三氯硅烷精制工藝運行工況下，計算其回收精餾工藝中除輕塔Ⅲ塔釜的二氯硅烷實際濃度Ⅰ； 所述S11步驟中，先利用二氯硅烷飽和蒸氣壓和三氯硅烷飽和蒸氣壓，得到二氯硅烷摩爾分數，再利用二氯硅烷摩爾分數得到二氯硅烷實時質量分數； S12、在現有還原負荷及三氯硅烷產品Ⅰ負荷下，設定三氯硅烷產品Ⅲ需求濃度，并根據需求濃度計算回收精餾工藝中除輕塔Ⅲ塔釜的二氯硅烷控制濃度Ⅱ； S12步驟包括以下步驟： S121、給定三氯硅烷產品Ⅲ中二氯硅烷的需求濃度A； S122、在合成精餾除重塔Ⅱ的三氯硅烷產品Ⅰ出口設置流量計Ⅰ，在回收精餾除重塔Ⅲ和除重塔Ⅳ的三氯硅烷產品Ⅱ出口分別設置流量計Ⅱ和流量計Ⅲ，在回收精餾除重塔Ⅲ和除重塔Ⅳ的進料口分別設置流量計Ⅳ和流量計Ⅴ； S123、利用流量計Ⅰ、流量計Ⅱ、流量計Ⅲ、流量計Ⅳ和流量計Ⅴ采集流量數據，并根據采集的流量數據以及需求濃度A，生成回收精餾工藝中除輕塔Ⅲ塔釜的二氯硅烷控制濃度Ⅱ；在除輕塔Ⅲ內，塔釜采出的三氯硅烷中間品同時進入并聯的除重塔Ⅲ和除重塔Ⅳ中進行脫重； S13、計算二氯硅烷實際濃度Ⅰ和二氯硅烷控制濃度Ⅱ的濃度差，并根據濃度差對回收精餾工藝中的除輕塔Ⅲ進行調整，穩定控制三氯硅烷中間品和三氯硅烷產品Ⅲ中的二氯硅烷濃度； 所述S13步驟中，在設定周期內，當濃度差大于設定濃度差值高限時，除輕塔Ⅲ的主回路增加差值高限調整幅度；當濃度差小于設定濃度差值低限時，除輕塔Ⅲ的主回路降低差值低限調整幅度； S2、將混合后的物料輸送至氯硅烷汽化器中進行汽化，并將汽化后的物料輸送至靜態混合器中與氫氣混合，再將混合物料輸送至還原爐中進行還原反應； S3、對還原爐還原反應產生的尾氣進行回收，并將包含二氯硅烷的尾氣輸送至S1步驟的回收精餾中進行回收精餾，通過控制二氯硅烷控制多晶硅還原。

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