晶能光電股份有限公司管志斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶能光電股份有限公司申請的專利倒裝LED芯片、發光裝置獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223286156U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422239267.8，技術領域涉及：H10H20/832；該實用新型倒裝LED芯片、發光裝置是由管志斌;楊小東;江雪琴設計研發完成，并于2024-09-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本倒裝LED芯片、發光裝置在說明書摘要公布了：本實用新型提供的倒裝LED芯片、發光裝置，n極區域呈規則圖形并位于芯片的中央位置，用于形成n型電極；p極區域至少位于芯片中處于對角線位置的兩個頂角處，用于形成p型電極；將n型電極設置于芯片中心區域，通過通孔與n型半導體層連接，有利于芯片工作時通過n極電極散熱，將p型電極至少設置于芯片的處于對角線位置的兩個頂角處，這樣在進行回流焊時，即使一側懸空，另一側的p型電極也能與封裝基板良好接觸，避免出現p型電極虛焊的情況，大幅提高了產品的可靠性。
本實用新型倒裝LED芯片、發光裝置在權利要求書中公布了：1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片整體為方形，芯片包括： 生長襯底； 于所述生長襯底表面形成的半導體多層結構，包括依次堆疊的n型半導體層、發光層及p型半導體層，且表面劃分為n極區域和p極區域，所述p極區域至少配置于LED芯片的兩個對角處； 于所述半導體多層結構中p型半導體層一側的表面形成的反射金屬結構； 于所述n極區域形成的貫穿至n型半導體層的n型電極通孔； 于所述反射金屬結構表面形成延伸至n型電極通孔側壁的絕緣層，部分位于p極區域的絕緣層中配置有連通至所述反射金屬結構的p型電極通孔； 連接n極區域中所有n型電極通孔于絕緣層表面形成的n型電極； 連接位于同一頂角p極區域中各p型電極通孔、形成于反射金屬結構表面的p型電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶能光電股份有限公司，其通訊地址為：330096 江西省南昌市高新開發區艾溪湖北路699號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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