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龍圖騰網(wǎng)獲悉天合光能股份有限公司申請(qǐng)的專利TBC電池結(jié)構(gòu)獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223286153U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202422365136.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F77/30；該實(shí)用新型TBC電池結(jié)構(gòu)是由姚儒岳;柳偉;趙康設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-09-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本TBC電池結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種TBC電池結(jié)構(gòu)，TBC電池結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基底和間隔設(shè)置在半導(dǎo)體基底背面的P摻雜區(qū)和N摻雜區(qū)。P摻雜區(qū)包括至少一個(gè)P區(qū)鈍化接觸單元，P區(qū)鈍化接觸單元包括P區(qū)隧穿層和P?poly層，N摻雜區(qū)包括至少一個(gè)N區(qū)鈍化接觸單元，N區(qū)鈍化接觸單元包括N區(qū)隧穿層和N?poly層，P摻雜區(qū)中的所有P區(qū)隧穿層的總厚度大于N摻雜區(qū)中的所有N區(qū)隧穿層的總厚度。P摻雜區(qū)中的所有P區(qū)隧穿層的總厚度大于N摻雜區(qū)中的所有N區(qū)隧穿層的總厚度，即N區(qū)隧穿層的總厚度相對(duì)較薄，進(jìn)而能夠提高電子的隧穿幾率，以達(dá)到更佳的載流子收集效率；同時(shí)P區(qū)隧穿層的總厚度相對(duì)較厚，進(jìn)而能夠保證隧穿層優(yōu)異的鈍化效果。

本實(shí)用新型TBC電池結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種TBC電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TBC電池結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基底和間隔設(shè)置在所述半導(dǎo)體基底背面的P摻雜區(qū)和N摻雜區(qū)； 所述P摻雜區(qū)包括至少一個(gè)P區(qū)鈍化接觸單元，所述P區(qū)鈍化接觸單元包括P區(qū)隧穿層和P-poly層，同一所述P區(qū)鈍化接觸單元中的所述P區(qū)隧穿層位于所述P-poly層靠近所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)； 所述N摻雜區(qū)包括至少一個(gè)N區(qū)鈍化接觸單元，所述N區(qū)鈍化接觸單元包括N區(qū)隧穿層和N-poly層，同一所述N區(qū)鈍化接觸單元中的所述N區(qū)隧穿層位于所述N-poly層靠近所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)； 所述P摻雜區(qū)中的所有所述P區(qū)隧穿層的總厚度大于所述N摻雜區(qū)中的所有所述N區(qū)隧穿層的總厚度。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人天合光能股份有限公司，其通訊地址為：213031 江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。