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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請(qǐng)的專利一種反應(yīng)器及半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223280935U 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202422647755.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該實(shí)用新型一種反應(yīng)器及半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備是由王國(guó)斌;周溯沅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-10-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種反應(yīng)器及半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備在說(shuō)明書摘要公布了：本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種反應(yīng)器及半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備。反應(yīng)器包括殼體、升降裝置、加熱裝置和噴淋裝置。殼體設(shè)置有反應(yīng)腔；升降裝置包括升降驅(qū)動(dòng)件和載盤，升降驅(qū)動(dòng)件設(shè)置于反應(yīng)腔的腔底，升降驅(qū)動(dòng)件驅(qū)動(dòng)連接于載盤，以使載盤在第一反應(yīng)區(qū)和第二反應(yīng)區(qū)之間升降移動(dòng)；加熱裝置包括第一加熱件和第二加熱件，第一加熱件用于加熱第一反應(yīng)區(qū)至第一預(yù)設(shè)溫度；第二加熱件用于加熱第二反應(yīng)區(qū)至第二預(yù)設(shè)溫度；第一反應(yīng)區(qū)高于第二反應(yīng)區(qū)，第一預(yù)設(shè)溫度小于第二預(yù)設(shè)溫度；噴淋裝置設(shè)置于反應(yīng)腔的頂部，噴淋裝置用于噴射反應(yīng)物。本實(shí)用新型在一個(gè)反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行漂移層和極化層的生長(zhǎng)，二維電子氣的遷移率更高，耐壓性能也更好。

本實(shí)用新型一種反應(yīng)器及半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種反應(yīng)器，其特征在于，包括： 殼體1，其設(shè)置有反應(yīng)腔11； 升降裝置2，其包括升降驅(qū)動(dòng)件和載盤21，所述升降驅(qū)動(dòng)件設(shè)置于所述反應(yīng)腔11的腔底，所述升降驅(qū)動(dòng)件驅(qū)動(dòng)連接于所述載盤21，以使所述載盤21在第一反應(yīng)區(qū)12和第二反應(yīng)區(qū)13之間升降移動(dòng)； 加熱裝置3，其包括第一加熱件31和第二加熱件32，所述第一加熱件31用于加熱所述第一反應(yīng)區(qū)12至第一預(yù)設(shè)溫度；所述第二加熱件32用于加熱所述第二反應(yīng)區(qū)13至第二預(yù)設(shè)溫度；所述第一反應(yīng)區(qū)12高于所述第二反應(yīng)區(qū)13，所述第一預(yù)設(shè)溫度小于所述第二預(yù)設(shè)溫度； 噴淋裝置4，其設(shè)置于所述反應(yīng)腔11的頂部，所述噴淋裝置4用于噴射反應(yīng)物。

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