深圳平湖實驗室馮思睿獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767781B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411834887.4，技術領域涉及：H10D84/80；該發明授權半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備是由馮思睿;萬玉喜;胡浩林設計研發完成，并于2024-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體器件及其制備方法、電子設備，涉及半導體技術領域，旨在提高半導體器件的可靠性。半導體器件包括依次層疊的襯底、外延層、刻蝕終止層、溝道層和勢壘層，外延層內設置有第一摻雜區和第二摻雜區，第一摻雜區和第二摻雜區中的一者的摻雜類型為N型，另一者的摻雜類型為P型。半導體器件還包括位于勢壘層上的柵極、源極和漏極，及貫穿勢壘層、溝道層和刻蝕終止層至外延層遠離襯底的一側表面的第一連接結構和第二連接結構。第一連接結構靠近襯底的一端與第一摻雜區電連接，遠離襯底的一端與源極電連接；第二連接結構靠近襯底的一端與第二摻雜區電連接，遠離襯底的一端與漏極或柵極電連接。半導體器件應用于功率開關器件。
本發明授權半導體器件及其制備方法、功率開關器件、電子設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括： 襯底； 外延層，位于所述襯底上；所述外延層內設置有第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區中的一者的摻雜類型為N型，另一者的摻雜類型為P型； 刻蝕終止層，位于所述外延層上； 溝道層，位于所述刻蝕終止層上； 勢壘層，位于所述溝道層上； 柵極、源極和漏極，均位于所述勢壘層上；所述柵極位于所述源極和所述漏極之間； 第一連接結構和第二連接結構，均貫穿所述勢壘層、所述溝道層和所述刻蝕終止層至所述外延層遠離所述襯底的一側表面； 其中，所述第一連接結構靠近所述襯底的一端與所述第一摻雜區電連接，遠離所述襯底的一端與所述源極電連接；所述第二連接結構靠近所述襯底的一端與所述第二摻雜區電連接，遠離所述襯底的一端與目標電極電連接，所述目標電極為所述漏極或所述柵極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號