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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請的專利LDMOS器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119967863B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510437217.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)LDMOS器件及其形成方法是由胡林輝;張文劍;仇峰;張薔設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本LDMOS器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LDMOS器件及其形成方法。所述LDMOS器件包括：襯底，包括沿第一方向相對分布的正面和背面；體區(qū)，位于襯底內(nèi)，體區(qū)內(nèi)具有溝槽；源極區(qū)，位于體區(qū)內(nèi)，且源極區(qū)分布于溝槽的側(cè)壁上和溝槽的底面上，源極區(qū)包括位于溝槽的底面上的體區(qū)接觸區(qū)和環(huán)繞體區(qū)接觸區(qū)的外周分布的源極摻雜區(qū)，源極摻雜區(qū)呈彎折形狀且連續(xù)分布于溝槽的側(cè)壁上和溝槽的部分底面上；漂移區(qū)，位于襯底內(nèi)，且漂移區(qū)沿第二方向分布于所述體區(qū)的外側(cè)，第二方向與第一方向垂直相交；漏極區(qū)，位于漂移區(qū)中。本發(fā)明能夠在確保LDMOS器件的過流能力的同時，降低LDMOS器件的比導(dǎo)通電阻。

本發(fā)明授權(quán)LDMOS器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括： 襯底，包括沿第一方向相對分布的正面和背面； 體區(qū)，位于所述襯底內(nèi)，所述體區(qū)內(nèi)具有溝槽； 源極區(qū)，位于所述體區(qū)內(nèi)，所述源極區(qū)包括位于所述溝槽的底面上的體區(qū)接觸區(qū)和環(huán)繞所述體區(qū)接觸區(qū)的外周對稱分布的源極摻雜區(qū)，所述源極摻雜區(qū)呈彎折形狀且連續(xù)分布于所述溝槽的側(cè)壁上和所述溝槽的部分底面上，所述體區(qū)接觸區(qū)與所述源極摻雜區(qū)接觸連接，其中，通過所述溝槽增大所述源極區(qū)的面積，以確保所述LDMOS器件的過流能力；同時，通過縮小體區(qū)的尺寸來縮減所述LDMOS器件中源極區(qū)與漏極區(qū)距離，以降低所述LDMOS器件的比導(dǎo)通電阻； 漂移區(qū)，位于所述襯底內(nèi)，且所述漂移區(qū)沿第二方向分布于所述體區(qū)的外側(cè)，所述第二方向與所述第一方向垂直相交； 漏極區(qū)，位于所述漂移區(qū)中。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海積塔半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。