成都市元視芯智能科技有限公司;深圳市元視芯智能科技有限公司羅凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉成都市元視芯智能科技有限公司;深圳市元視芯智能科技有限公司申請的專利一種圖像傳感用讀出電路、讀出系統及固態成像設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120111385B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510451237.X,技術領域涉及:H04N25/78;該發明授權一種圖像傳感用讀出電路、讀出系統及固態成像設備是由羅凱;鄭健華;王從華設計研發完成,并于2025-04-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種圖像傳感用讀出電路、讀出系統及固態成像設備在說明書摘要公布了:本發明公開了一種圖像傳感用讀出電路、讀出系統及固態成像設備,涉及圖像傳感讀出技術領域,包括像素陣列單元,所述像素陣列單元用于光電信號轉換;電流鏡電路單元;其中,所述電流鏡電路單元包括:共源共柵電流鏡或兩個N溝道場效應晶體管;負阻抗變換單元;充放電加速單元。本發明通過利用負阻抗變換單元和充放電加速單元,利用負阻抗變換單元產生負阻抗與影響VSL建立速度的寄生阻抗進行抵消,以實現加速小信號建立速度;利用充放電加速單元選擇性的配合VSL下降建立過程或上升建立過程中提供充放電電流,以實現加速大信號建立速度。即本申請中能夠針對于VSL下降建立過程或上升建立過程進行相應響應配合。
本發明授權一種圖像傳感用讀出電路、讀出系統及固態成像設備在權利要求書中公布了:1.一種圖像傳感用讀出電路,其特征在于,包括: 像素陣列單元,所述像素陣列單元用于光電信號轉換; 電流鏡電路單元,所述電流鏡電路單元與所述像素陣列單元電性相連,所述電流鏡電路單元用于提供偏置電流; 其中,所述電流鏡電路單元包括:共源共柵電流鏡或兩個N溝道場效應晶體管; 負阻抗變換單元,所述負阻抗變換單元與所述電流鏡電路單元電性連接,所述負阻抗變換單元用于產生負阻抗,與VSL本身寄生阻抗相抵消; 充放電加速單元,所述充放電加速單元用于在VSL下降建立過程或上升建立過程中提供充放電電流; 所述充放電加速單元包括: 上升電壓-電流變換電路,所述上升電壓-電流變換電路的一端連接有漏極電源電壓,所述上升電壓-電流變換電路用于進行VSL上升建立過程的電壓-電流變換; 下降電壓-電流變換電路,所述下降電壓-電流變換電路用于進行VSL下降建立過程的電壓-電流變換; 開關電路,所述開關電路分別與所述上升電壓-電流變換電路、下降電壓-電流變換電路電性連接,所述開關電路用于選擇連通上升電壓-電流變換電路和下降電壓-電流變換電路; 所述下降電壓-電流變換電路包括: 第一P溝道場效應晶體管,所述第一P溝道場效應晶體管一端連接有漏極電源電壓,所述第一P溝道場效應晶體管用于提供電流源; 第二P溝道場效應晶體管,所述第二P溝道場效應晶體管一端也連接有漏極電源電壓,所述第二P溝道場效應晶體管用于提供偏置電流; 電容,所述電容設置于第二P溝道場效應晶體管的一側,所述電容與第二P溝道場效應晶體管電性連接,所述電容為第二P溝道場效應晶體管的旁路電容; 第三P溝道場效應晶體管,所述第三P溝道場效應晶體管的柵極連接有垂直信號線信號輸出節點,所述第三P溝道場效應晶體管的源極與第二P溝道場效應晶體管相連; 第一N溝道場效應晶體管,所述第一N溝道場效應晶體管與所述第二P溝道場效應晶體管相連,所述第一N溝道場效應晶體管與所述第三P溝道場效應晶體管漏極相連; 第二N溝道場效應晶體管,所述第二N溝道場效應晶體管與所述第一N溝道場效應晶體管組成電流鏡; 所述上升電壓-電流變換電路包括: 第五N溝道場效應晶體管,所述第五N溝道場效應晶體管用于電壓-電流轉換; 第六N溝道場效應晶體管,所述第六N溝道場效應晶體管與所述第五N溝道場效應晶體管電性連接,所述第六N溝道場效應晶體管的柵極連接有偏置電壓,所述第六N溝道場效應晶體管用作于第五N溝道場效應晶體管的偏置電流源; 第四P溝道場效應晶體管,所述第四P溝道場效應晶體管與所述第五N溝道場效應晶體管電性連接; 第五P溝道場效應晶體管,所述第五P溝道場效應晶體管與所述第四P溝道場效應晶體管電性連接,所述第五P溝道場效應晶體管與所述第四P溝道場效應晶體管組成電流鏡; 第七N溝道場效應晶體管,所述第七N溝道場效應晶體管與所述第五P溝道場效應晶體管電性連接,所述第七N溝道場效應晶體管的柵極連接有偏置電壓,所述第七N溝道場效應晶體管用于所述第五P溝道場效應晶體管的偏置電流源; 第二電容,所述第二電容與所述第五N溝道場效應晶體管電性連接,所述第二電容用于第五N溝道場效應晶體管的旁路電容。
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