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龍圖騰網獲悉泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224719B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510697806.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法是由周海;陳彤;胡臻;何佳設計研發完成，并于2025-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法，所述方法包括：在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成柵極保護區；分流區及源極保護區；將所述源極保護區接地設置；再次進行離子注入，形成P型阱區，所述漂移層上形成凸起部；重新形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成P型源區及N型源區；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成絕緣介質層、柵極金屬層及源極金屬層，通過柵極保護區和與地相接的源極保護區，使得器件內部寄生的NPN晶體管在漏極電壓沖擊時保證關斷，從而提高器件的UIS抗性，提高器件可靠性。

本發明授權一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高可靠UIS平面柵碳化硅VDMOS的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 步驟1、在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層； 步驟2、在漂移層上方形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成柵極保護區； 步驟3、去除步驟2的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成分流區； 步驟4、去除步驟3的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成源極保護區；將所述源極保護區接地設置； 步驟5、再次進行離子注入，形成P型阱區，所述漂移層上形成凸起部； 步驟6、去除步驟4的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成P型源區； 步驟7、去除步驟6的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成N型源區； 步驟8、去除步驟7的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積，形成絕緣介質層； 步驟9、去除步驟8的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積，形成柵極金屬層； 步驟10、去除步驟9的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備； 所述漂移層下側面連接至所述碳化硅襯底，所述漂移層內設有柵極保護區以及分流區，所述柵極保護區外側面連接至所述分流區內側面；所述漂移層上設有凸起部； 所述源極保護區下側面連接至所述漂移層上側面，所述源極保護區內側面連接至所述凸起部外側面； 所述P型阱區下側面連接至所述源極保護區上側面，所述P型阱區內側面連接至所述凸起部外側面，所述P型阱區上設有N型源區以及P型源區，所述N型源區外側面連接至P型源區內側面，所述N型源區內側面連接至所述P型阱區； 所述絕緣介質層下側面連接至所述P型阱區以及凸起部。

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