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龍圖騰網獲悉泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120282481B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510757256.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法是由胡臻;何佳;陳彤;周海設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法，包括：在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成掩蔽層、P型阱區、P型基區、P型源區及N型源區；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕漂移層至N型源區上側面，淀積金屬，形成源極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕漂移層至掩蔽層上側面，淀積，形成絕緣介質層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕絕緣介質層形成溝槽，淀積金屬，形成柵極金屬層，去除阻擋層，完成制備，降低器件驅動電壓，降低器件驅動損耗。提高器件可靠性。

本發明授權一種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法在權利要求書中公布了：1.種低驅動電壓溝槽柵碳化硅VDMOS，其特征在于：包括 碳化硅襯底， 漂移層，所述漂移層下側面連接至所述碳化硅襯底上側面；所述漂移層上設有凸起部，所述凸起部內設有凹槽； P型阱區，所述P型阱區下側面連接至所述漂移層上側面，且所述P型阱區內側面連接至所述凸起部外側面； P型基區，所述P型基區下側面連接至所述P型阱區上側面，所述P型基區內側面連接至所述凸起部外側面； P型源區，所述P型源區下側面連接至所述P型基區上側面； N型源區，所述N型源區下側面連接至所述P型基區上側面，所述N型源區外側面連接至所述P型源區內側面，所述N型源區內側面連接至所述凸起部外側面； 掩蔽層，所述掩蔽層設于所述凹槽內； 絕緣介質層，所述絕緣介質層設于所述凹槽內，且所述絕緣介質層下側面連接至所述掩蔽層上側面；所述絕緣介質層突出于所述凹槽，所述絕緣介質層內設有溝槽； 柵極金屬層，所述柵極金屬層設于所述溝槽內； 源極金屬層，所述源極金屬層分別連接所述凸起部上側面、P型源區上側面以及N型源區上側面； 以及，漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底下側面； N型源區、高摻雜的P型基區以及低摻雜的P型阱區與絕緣介質層均沒有直接連接，中間間隔漂移層。

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