上海財盈半導體股份有限公司張德才獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海財盈半導體股份有限公司申請的專利一種放電反應器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120364651B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510872792.X，技術領域涉及：C01B13/11；該發明授權一種放電反應器及其制備方法是由張德才設計研發完成，并于2025-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種放電反應器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種放電反應器及其制備方法，其屬于放電反應技術領域，所述放電反應器包括第一電極層和第二電極層，在第一電極層和第二電極層之間層疊設置有至少一層介質層和至少一層氣隙層，介質層與氣隙層相鄰，至少一層介質層的表面構造有多個凸點，凸點位于氣隙層內且形成對氣隙層厚度的限制和支撐，氣隙層內凸點以外的部分形成貫通的氣隙通道空間。本發明通過在介質層上構建凸點來限制和支撐氣隙，精準控制氣隙厚度，能夠確保氣隙厚度一致性，保證腔內均勻放電，在臭氧發生器中可提高臭氧濃度和產率，提升放電效率；同時通過凸點連接增強了介質層和電極層的穩固性，減少松動位移，維持電場穩定，保障設備穩定運行。
本發明授權一種放電反應器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種放電反應器，其特征在于，包括電極層，電極層包括第一電極層和第二電極層，在第一電極層和第二電極層之間層疊設置有至少一層介質層和至少一層氣隙層，介質層與氣隙層相鄰，至少一層介質層的表面構造有多個凸點，凸點位于氣隙層內且形成對氣隙層厚度的限制和支撐，氣隙層內凸點以外的部分形成貫通的氣隙通道空間；凸點為通過激光分層刻蝕工藝在介質層表面構造形成；凸點在介質層表面均勻分布設置且所有凸點的高度相同；電極層為圖形化的電極層，電極層在與凸點相對應的位置為空；氣隙層厚度為20μm～200μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海財盈半導體股份有限公司，其通訊地址為：201108 上海市閔行區東川路555號戊樓5117室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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