蘇州晶湛半導體有限公司程凱獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利半導體結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730813B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980102369.4，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權半導體結構的制作方法是由程凱;張麗旸設計研發完成，并于2019-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構1的制作方法，包括：先提供襯底10，襯底10包括若干器件區10a以及環繞每一器件區10a的外圍區10b；接著在各個器件區10a上形成犧牲層11，在犧牲層11以及未覆蓋犧牲層11的襯底10上形成半導體有源層13；圖形化半導體有源層13，以去除外圍區10b的半導體有源層13形成若干環狀溝槽14，環狀溝槽14暴露犧牲層11，使各個器件區10a的半導體有源層13分立；之后經環狀溝槽14去除各個器件區10a的犧牲層11，從而使分立的半導體有源層13與襯底10分離，每一分離的半導體有源層13形成一半導體結構1。上述通過去除犧牲層11的方式可以實現大批量半導體結構1同時制作，成本較低；此外，剝離質量較好，不會損傷半導體有源層13。
本發明授權半導體結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供襯底10，所述襯底10包括若干器件區10a以及環繞每一所述器件區10a的外圍區10b；各個所述外圍區10b連接，且至少一個所述外圍區10b位于所述襯底10的側壁； 在所述襯底10上形成犧牲層11，圖形化所述犧牲層11，至少保留所述器件區10a的犧牲層11； 在所述犧牲層11以及襯底10上形成半導體有源層13；圖形化所述半導體有源層13，以去除所述外圍區10b的半導體有源層13形成若干環狀溝槽14，使各個器件區10a的半導體有源層13分立； 經所述環狀溝槽14去除所述各個器件區10a的犧牲層11，使所述分立的半導體有源層13與所述襯底10分離，每一分離的半導體有源層13形成一半導體結構1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號