ASM IP 控股有限公司T·E·布隆伯格獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉ASM IP 控股有限公司申請的專利用于半導體處理系統(tǒng)的噴淋頭裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112242324B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010691019.0，技術領域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權用于半導體處理系統(tǒng)的噴淋頭裝置是由T·E·布隆伯格;V·沙爾瑪設計研發(fā)完成，并于2020-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于半導體處理系統(tǒng)的噴淋頭裝置在說明書摘要公布了：為了在整個晶片上形成副產物的恒定分壓以及氣體分子的恒定停留時間，可以使用雙噴淋頭反應器。雙噴淋頭結構可以針對蝕刻劑以及所述副產物實現空間上均勻的分壓、停留時間和溫度，由此在整個所述晶片上產生均勻蝕刻速率。系統(tǒng)可以包含對所述反應器進行差動泵送。
本發(fā)明授權用于半導體處理系統(tǒng)的噴淋頭裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體處理設備，包括： 反應室和反應室排氣口，所述反應室排氣口被配置成從所述反應室去除蒸氣； 噴淋頭裝置，其連接到所述反應室并且被配置成將反應物蒸氣輸送到所述反應室，所述噴淋頭裝置包括： 氣體進口，其被配置成將所述反應物蒸氣供應到所述噴淋頭裝置中； 第一噴淋頭板，其與所述氣體進口流體連通，所述第一噴淋頭板包括多個開口； 設置在所述氣體進口和所述第一噴淋頭板之間的氣室，所述氣室被配置為將蒸汽從所述氣體進口傳送到所述多個開口；以及 第二噴淋頭板，包括： 多個進氣口，其與所述多個開口流體連通，所述多個進氣口被配置成將所述反應物蒸氣輸送到所述反應室；以及 多個出氣孔，其被配置成從所述反應室去除蒸氣；以及 一個或多個泵，其連接到所述反應室排氣口和所述多個出氣孔，所述一個或多個泵被配置成通過所述反應室排氣口和所述多個出氣孔從所述反應室去除蒸氣； 其中所述第一噴淋頭板和所述第二噴淋頭板協作以限定與所述多個出氣孔和所述一個或多個泵流體連通的通道； 其中所述噴淋頭裝置包括通過所述氣室分開的上部部分和下部部分，所述上部部分包括第二多個開口并且所述下部部分包括所述第一噴淋頭板和所述第二噴淋頭板， 其中所述多個出氣孔沿著所述第二噴淋頭板上的形成同心環(huán)的所述通道定位。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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