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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256072B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011023282.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張全良;劉麗麗設計研發完成，并于2020-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構及其形成方法。所述形成方法包括：提供襯底，襯底包括漂移區以及位于漂移區中的第一隔離結構和第二隔離結構；在第一隔離結構和第二隔離結構之間的部分漂移區表面形成柵極結構；在柵極結構與第一隔離結構之間的漂移區中形成第一體區，在柵極結構與第二隔離結構之間的漂移區中形成第二體區，第一體區和第二體區均延伸至柵極結構下部；分別在柵極結構兩側的第一體區、第二體區中形成第一源區、第二源區；以及，在漂移區中形成第一漏極和第二漏極，其中，第一隔離結構分隔第一漏極和第一源極，第二隔離結構分隔第二漏極和第二源極。本申請技術方案的半導體結構及其形成方法能夠優化器件性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括漂移區以及位于所述漂移區中的第一隔離結構和第二隔離結構； 在所述第一隔離結構和所述第二隔離結構之間的部分漂移區表面形成柵極結構； 采用離子注入工藝在所述柵極結構與所述第一隔離結構之間的漂移區中形成第一體區，在所述柵極結構與所述第二隔離結構之間的漂移區中形成第二體區，所述第一體區和所述第二體區均延伸至所述柵極結構下部，包括：在所述襯底以及柵極結構表面形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層暴露所述柵極結構與所述第一隔離結構、所述第二隔離結構之間的部分漂移區表面且完全覆蓋所述柵極結構的側壁；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，進行第一離子注入，形成第一離子注入區；修整所述圖案化的光刻膠層，使所述圖案化的光刻膠層僅覆蓋所述柵極結構的部分表面；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，進行第二離子注入，形成第二離子注入區，所述第二離子注入區的深度小于所述第一離子注入區；熱處理，使所述第一體區和所述第二體區延伸至所述柵極結構下部； 分別在所述柵極結構兩側的第一體區、第二體區中形成第一源區、第二源區；以及， 在所述漂移區中形成第一漏區和第二漏區，其中，所述第一隔離結構分隔所述第一漏區和所述第一源區，所述第二隔離結構分隔所述第二漏區和所述第二源區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：300385 天津市西青區興華道19號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。