赫芯(浙江)微電子科技有限公司徐建衛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉赫芯(浙江)微電子科技有限公司申請的專利一種硅基電容集成結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113871200B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111068837.6，技術領域涉及：H01G4/002；該發明授權一種硅基電容集成結構及其制備方法是由徐建衛;汪鵬設計研發完成，并于2021-09-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅基電容集成結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種硅基電容集成結構及其制備方法，該硅基電容集成結構包括：襯底，隔離層，隔離層形成在襯底上；下電極層，下電極層設置在隔離層上；臺階結構，臺階結構設置在下電極層上，臺階結構內包圍有至少一層介電層，介電層覆蓋在下電極層上；上電極層，上電極層覆蓋在介電層上；其中，臺階結構分隔介電層與上電極層的打線區域。基于上述結構，臺階結構能夠分隔介電層與上電極層的打線區域，這樣使得該電容的打線區域位于臺階結構的外部，避免打線應力集中在介電層內，從而避免電容的薄膜區域被擊穿的情況發生，實現了可視化嵌埋電容結構。
本發明授權一種硅基電容集成結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基電容集成結構，其特征在于，包括： 襯底， 隔離層，所述隔離層形成在所述襯底上； 下電極層，所述下電極層設置在所述隔離層上； 臺階結構，所述臺階結構設置在所述下電極層上，所述臺階結構內包圍有至少一層介電層，所述介電層覆蓋在所述下電極層上； 上電極層，所述上電極層覆蓋在所述介電層上，其面積大于所述介電層的面積； 其中，所述臺階結構分隔所述介電層與所述上電極層的打線區域， 所述上電極層的打線區域形成在所述臺階結構的上方， 所述下電極層的打線區域形成在所述下電極層與外界電元件連接的引線上， 所述上電極層的打線區域與所述下電極層的打線區域不重疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人赫芯(浙江)微電子科技有限公司，其通訊地址為：314299 浙江省嘉興市平湖市鐘埭街道宏建路2368號4號廠房101室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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