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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京魯汶半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專利一種等離子體刻蝕設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116013755B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111227060.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)一種等離子體刻蝕設(shè)備是由韓大健;李娜;彭泰彥;車(chē)東晨;許開(kāi)東設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種等離子體刻蝕設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)一種等離子體刻蝕設(shè)備，其工藝腔室中包括電極底座、電極和內(nèi)襯；該內(nèi)襯的筒形側(cè)部覆于所述工藝腔室的內(nèi)側(cè)壁面，且兩者之間設(shè)置有絕緣套筒，該內(nèi)襯的環(huán)形底部可與電極底座相接；環(huán)形底部的下表面具有內(nèi)襯安裝部，電極底座的上表面相應(yīng)設(shè)置有可與內(nèi)襯安裝部適配的第一底座安裝部和第二底座安裝部，并配置為：內(nèi)襯安裝部與第一底座安裝部適配時(shí)，環(huán)形底部的下表面與電極底座的上表面貼合；內(nèi)襯安裝部與第二底座安裝部適配時(shí)，環(huán)形底部的下表面位于電極底座的上表面之間具有預(yù)定間距，且環(huán)形底部與電極之間設(shè)置有可拆卸連接的電性連接件。應(yīng)用本方案，在確保晶圓刻蝕的均勻一致性及刻蝕速率的基礎(chǔ)上，能夠獲得良好的清洗效果。

本發(fā)明授權(quán)一種等離子體刻蝕設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種等離子體刻蝕設(shè)備，包括工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室中包括： 電極底座； 電極，通過(guò)絕緣墊設(shè)置在所述電極底座上； 內(nèi)襯，包括環(huán)形底部和自所述環(huán)形底部外沿向上延伸形成的筒形側(cè)部，所述筒形側(cè)部覆于所述工藝腔室的內(nèi)側(cè)壁面，且兩者之間設(shè)置有絕緣套筒，所述環(huán)形底部可與電極底座相接；所述環(huán)形底部的下表面具有內(nèi)襯安裝部，所述電極底座的上表面相應(yīng)設(shè)置有可與所述內(nèi)襯安裝部適配的第一底座安裝部和第二底座安裝部； 其中，所述內(nèi)襯安裝部與所述第一底座安裝部適配時(shí)，配置為：所述環(huán)形底部的下表面與所述電極底座的上表面貼合； 其中，所述內(nèi)襯安裝部與所述第二底座安裝部適配時(shí)，配置為：所述環(huán)形底部的下表面位于所述電極底座的上表面的上方，兩者之間具有預(yù)定間距，且所述環(huán)形底部與所述電極之間設(shè)置有可拆卸連接的電性連接件。

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