中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐峰獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115064629B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111248207.7，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法是由徐峰;鄧旭光;譚毅;張寶順設計研發完成，并于2021-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明揭示了一種基于光電隔離的Micro?LED器件及其制備方法，所述Micro?LED器件包括自下而上依次設置的襯底、N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層及電極，所述多量子阱層包括若干分離設置的多量子阱結構，P型半導體層包括若干位于多量子阱結構上的P型半導體結構，所述多量子阱結構上還設有形成于P型半導體結構側壁上的隔離層，所述隔離層及多量子阱結構的側壁上設有反射層，所述電極包括與N型半導體層電性連接的N電極及與P型半導體結構電性連接的P電極。本發明中的Micro?LED器件通過引入隔離層及反射層，可以實現器件的電學隔離及光學隔離，提高了器件的發光效率及顯示對比度，降低了光學串擾效應。
本發明授權基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于光電隔離的Micro-LED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供襯底； 在襯底上依次外延生長N型半導體層、多量子阱層及P型半導體層； 對P型半導體層的非發光區域進行離子注入，形成若干離子注入區； 刻蝕部分離子注入區及其下方的多量子阱層，形成若干分離設置的多量子阱結構、及位于其上的P型半導體結構和隔離層； 在隔離層及多量子阱結構的側壁上形成反射層； 在P型半導體結構上形成P電極，及，在N型半導體層上形成N電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業園區若水路398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號