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龍圖騰網(wǎng)獲悉株洲中車時代半導體有限公司申請的專利大功率半導體器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114038808B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111264988.9，技術領域涉及：H01L23/16；該發(fā)明授權大功率半導體器件是由王飛;曾文彬;孫文偉;操國宏;陳芳林;石鏗;董超;鄒平;劉應;唐柳生設計研發(fā)完成，并于2021-10-28向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本大功率半導體器件在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N大功率半導體器件。該大功率半導體器件包括：半導體芯片；半導體芯片位于大功率半導體器件的頂部；內(nèi)部驅(qū)動板，其位于大功率半導體器件的底部；門極銅塊，其設置在芯片門極區(qū)域與內(nèi)部驅(qū)動板之間；銅塊通過彈性導電組件下壓位于內(nèi)部驅(qū)動板上的MOSFET；彈性導電組件包括用于調(diào)節(jié)MOSFET所受壓力大小的碟簧。利用該大功率半導體器件，其銅塊通過彈性導電組件下壓位于所述內(nèi)部驅(qū)動板上的MOSFET，從而確保各個MOSFET所受壓力的均勻一致，降低接觸熱阻與大功率半導體器件的內(nèi)部壓降，并通過控制彈性導電組件中碟簧的壓縮量，將壓力的大小控制在一定的范圍內(nèi)，防止壓壞MOSFET。

本發(fā)明授權大功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種大功率半導體器件，其特征在于，包括： 半導體芯片，其包括環(huán)狀的芯片門極區(qū)域、位于所述芯片門極區(qū)域內(nèi)的第一芯片陰極區(qū)域和位于所述芯片門極區(qū)域外的第二芯片陰極區(qū)域；所述半導體芯片位于大功率半導體器件的頂部； 內(nèi)部驅(qū)動板，其位于大功率半導體器件的底部； 內(nèi)陰極銅塊，其設置在所述第一芯片陰極區(qū)域與所述內(nèi)部驅(qū)動板之間； 外陰極銅塊，其設置在所述第二芯片陰極區(qū)域與所述內(nèi)部驅(qū)動板之間； 門極銅塊，其設置在所述芯片門極區(qū)域與所述內(nèi)部驅(qū)動板之間； 所述門極銅塊、所述內(nèi)陰極銅塊或所述外陰極銅塊通過彈性導電組件下壓位于所述內(nèi)部驅(qū)動板上的門極MOSFET、內(nèi)陰極MOSFET或外陰極MOSFET；所述彈性導電組件包括用于調(diào)節(jié)所述門極MOSFET、所述內(nèi)陰極MOSFET或所述外陰極MOSFET所受壓力大小的彈性件； 管蓋，其設置在所述半導體芯片上方； 管座，其設置在所述內(nèi)部驅(qū)動板下方；以及， 管殼，其環(huán)繞所述管座和所述管蓋設置。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E6%A0%AA%E6%B4%B2%E4%B8%AD%E8%BD%A6%E6%97%B6%E4%BB%A3%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">株洲中車時代半導體有限公司，其通訊地址為：412001 湖南省株洲市石峰區(qū)田心高科園半導體三線辦公大樓三樓309室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。