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龍圖騰網獲悉深圳市艾德光子有限公司申請的專利批量晶圓的處理方法、蝕刻系統及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388403B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111363920.6，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權批量晶圓的處理方法、蝕刻系統及存儲介質是由李忠韓設計研發完成，并于2021-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本批量晶圓的處理方法、蝕刻系統及存儲介質在說明書摘要公布了：本申請公開了一種批量晶圓的處理方法、蝕刻系統及存儲介質，屬于半導體加工技術領域。所述方法包括：在批量晶圓的處理之前，使用無晶圓清洗基線對反應室的腔室進行無晶圓清洗，在清洗后對批量晶圓中的第一個產品晶圓進行蝕刻并檢測工藝性能是否符合工藝規范；若不符合，對無晶圓清洗基線的清洗強度進行調整，使用調整后的無晶圓清洗基線對腔室進行無晶圓清洗后，對第二個產品晶圓進行蝕刻并檢測工藝性能是否符合工藝規范；若符合，根據調整后的無晶圓清洗基線對批量晶圓依次進行蝕刻。如此，可以預先優化無晶圓清洗強度，使得優化后的無晶圓清洗能夠平衡腔室的聚合物沉積，批量晶圓處理過程中聚合物狀態保持穩定，減小對蝕刻速率影響。

本發明授權批量晶圓的處理方法、蝕刻系統及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種批量晶圓的處理方法，其特征在于，所述方法包括： 對反應室進行腔室調節，對蝕刻工藝的工藝參數進行校驗； 使用無晶圓清洗流程對所述反應室的腔室進行無晶圓清洗，在無晶圓清洗后對所述批量晶圓中的第一個產品晶圓進行蝕刻，并檢測對所述第一個產品晶圓進行蝕刻的工藝性能是否符合工藝規范； 若對所述第一個產品晶圓進行蝕刻的工藝性能不符合工藝規范，則對所述無晶圓清洗流程的清洗強度進行調整； 使用調整后的無晶圓清洗流程對所述反應室的腔室進行無晶圓清洗，在無晶圓清洗后對所述批量晶圓的第二個產品晶圓進行蝕刻，并檢測對所述第二個產品晶圓進行蝕刻的工藝性能是否符合工藝規范； 若對所述第二個產品晶圓進行蝕刻的工藝性能符合工藝規范，則根據調整后的無晶圓清洗流程對所述批量晶圓中未處理的產品晶圓依次進行蝕刻； 其中，所述對所述無晶圓清洗流程的清洗強度進行調整，包括： 根據晶圓處理的工藝時長與無晶圓清洗時長之間的對應關系，將所述無晶圓清洗流程的清洗時長調整為對所述批量晶圓連續處理的工藝時長對應的無晶圓清洗時長；所述晶圓處理的工藝時長與無晶圓清洗時長之間的對應關系是預先根據樣本產品晶圓處理的不同工藝時長與對應的飽和清洗時長進行統計得到，所述飽和清洗時長是指按照相同無晶圓清洗配方進行無晶圓清洗使得所述樣本產品晶圓在對應工藝時長下沉積的聚合物狀態處于飽和狀態的清洗時長。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市艾德光子有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道福光社區留仙大道3370號南山智園崇文園區3號樓2602；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。