南亞科技股份有限公司溫炫博獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利基底處理裝置及離子注入器的調整方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975051B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111563376.X，技術領域涉及：H01J37/317；該發明授權基底處理裝置及離子注入器的調整方法是由溫炫博;陳松輝設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本基底處理裝置及離子注入器的調整方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種基底處理裝置及離子注入器的調整方法。該基底處理裝置包含一離子注入器以及一處理器，該處理器與該離子注入器相關聯。該離子注入器經配置以使用一離子束將多個離子注入到一基底中。該處理器經配置以監控該離子束的一初始注入輪廓并調整該離子注入器，以依據該初始注入輪廓以及一預期注入輪廓提供具有該預期注入輪廓的該離子束。
本發明授權基底處理裝置及離子注入器的調整方法在權利要求書中公布了：1.一種基底處理裝置，包括： 一離子注入器，使用一離子束將多個離子注入到一基底中；以及 一處理器，與該離子注入器相關聯并經配置以監控該離子束的一初始注入輪廓，且自動調整該離子注入器以依據該初始注入輪廓以及一預期注入輪廓提供具有該預期注入輪廓的該離子束； 其中該離子注入器包括： 一離子源，由該處理器供電并用于離子化一氣體； 一源操縱器，萃取在該離子源內的多個離子以形成該離子束； 一質量分析器，提供一磁場以選擇用于注入的多個所述離子； 一光束操縱器，接受離開該質量分析器的該離子束，并用于通過一磁場而操縱該離子束的一形狀；以及 一多極單元與上下桿，使用電力將預期的多個所述離子導向該基底； 其中該處理器通過調整施加到該離子源、該多極單元與該上下桿的一電位以及該質量分析器與該光束操縱器的該磁場至少其中之一，而調整該離子注入器以產生該離子束； 其中該處理器依據由該離子注入器的一離子束檢測器、一光束分析器以及一入射角檢測器所測量的多個特性而得到該初始注入輪廓。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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