意法半導體股份有限公司G·卡姆帕爾多獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利相變存儲器及其制造、編程和讀取方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114664881B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111582592.9,技術領域涉及:H10B63/10;該發明授權相變存儲器及其制造、編程和讀取方法是由G·卡姆帕爾多;M·博爾吉設計研發完成,并于2021-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本相變存儲器及其制造、編程和讀取方法在說明書摘要公布了:本公開的各實施例涉及相變存儲器及其制造、編程和讀取方法。一種相變存儲器PCM包括:半導體主體,容納選擇晶體管;電絕緣主體,被設置在半導體主體之上;導電區,延伸穿過電絕緣主體,電耦合到選擇晶體管;以及所述電絕緣主體中的多個加熱器元件。多個加熱器元件中的每個加熱器元件包括與導電區的相應部分電接觸的第一端和遠離導電區延伸的第二端。PCM還包括多個相變元件,多個相變元件在電絕緣主體中延伸并且包括數據存儲區,其中數據存儲區中的每個數據存儲區在一個相應的加熱器元件的第二端處被電耦合且熱耦合到相應的加熱器元件。
本發明授權相變存儲器及其制造、編程和讀取方法在權利要求書中公布了:1.一種相變存儲器PCM,包括: 半導體主體,容納選擇晶體管; 電絕緣主體,被布置在所述半導體主體之上; 導電區,延伸穿過所述電絕緣主體,電耦合到所述選擇晶體管; 所述電絕緣主體中的多個加熱器元件,所述多個加熱器元件中的每個加熱器元件包括與所述導電區的相應部分電接觸的第一端、以及遠離所述導電區延伸的第二端; 多個相變材料元件,在所述電絕緣主體中延伸,并且包括數據存儲區,所述數據存儲區中的每個數據存儲區在一個相應的加熱器元件的所述第二端處電耦合且熱耦合到相應的所述加熱器元件,其中所述多個相變材料元件中的每個相變材料元件是沿著平行于所述半導體主體的主表面的方向的連續條帶,并且其中所述多個加熱器元件的子集沿著所述連續條帶中的每個連續條帶設置在不同的位置處并且由絕緣區隔開;以及 電介質或絕緣材料的密封層,覆蓋堆疊的側壁,所述堆疊包括所述加熱器元件中的一個加熱器元件和與其耦合的所述數據存儲區中的相應一個數據存儲區,所述密封層蓋住所述數據存儲區中的所述相應一個數據存儲區的頂部主表面,其中所述電絕緣主體的一部分覆蓋所述堆疊上方的所述密封層。
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