廈門乾照光電股份有限公司林志偉獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種發光外延結構及發光二極管芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114744086B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111679335.7，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種發光外延結構及發光二極管芯片是由林志偉;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防;陳凱軒設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光外延結構及發光二極管芯片在說明書摘要公布了：本發明提供了一種發光外延結構及發光二極管芯片，其中發光二極管芯片包括有通過隧穿結過渡的第一有源層和第二有源層；或者，發光二極管芯片包括有通過絕緣層相疊加的第一有源層和第二有源層，使得發光二極管芯片包括有更多的發光區域，能夠有效提高發光二極管芯片的出光亮度。同時，通過設計包括更多發光區域的發光二極管芯片，能夠使得發光二極管芯片具有混色調光的性能，擴大發光二極管芯片的適用范圍。
本發明授權一種發光外延結構及發光二極管芯片在權利要求書中公布了：1.一種發光外延結構，其特征在于，包括： 依次疊加的襯底、第一類型導電層、第一有源層、隧穿結、第二有源層和第二類型導電層，其中，所述隧穿結包括靠近所述第一類型導電層且與所述第一類型導電層摻雜相反的底層，及靠近所述第二類型導電層且與所述第二類型導電層摻雜相反的表層；所述底層的摻雜濃度大于所述第一類型導電層的摻雜濃度，所述表層的摻雜濃度大于所述第二類型導電層的摻雜濃度； 所述第一有源層包括多個交替的第一量子阱和第一量子壘，且所述第一有源層靠近所述第一類型導電層為所述第一量子阱，及所述第一有源層靠近所述隧穿結為所述第一量子壘，所述第一量子阱的應變為a1、所述第一量子壘的應變為a2，所述隧穿結的應變為b，所述襯底的應變為c，其中，a1＞a2≥b＞c； 所述第二有源層包括多個交替的第二量子壘和第二量子阱，且所述第二有源層靠近所述隧穿結為所述第二量子壘，及所述第二有源層靠近所述第二類型導電層為所述第二量子壘，所述第二量子阱的應變為d1、所述第二量子壘的應變為d2，其中，d1＞d2≥b＞c。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門乾照光電股份有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市火炬高新區（翔安）產業區翔天路259-269號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號