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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請的專利半導(dǎo)體工藝方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114361075B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111671908.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體工藝方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備是由陳洪;肖托;鐘結(jié)實;郭訓(xùn)容;劉建濤設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體工藝方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，該半導(dǎo)體工藝方法包括：在當(dāng)前的晶圓加工任務(wù)完成后，確定至少一個清潔模式當(dāng)前的膜厚累積參數(shù)；對于任一清潔模式，當(dāng)該清潔模式的膜厚累積參數(shù)達(dá)到該清潔模式對應(yīng)的預(yù)設(shè)閾值時，執(zhí)行該清潔模式對應(yīng)的腔室清潔任務(wù)。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝方法能夠自動在設(shè)備每完成一個晶圓加工任務(wù)時確定膜厚累積參數(shù)，并在任一清潔模式的膜厚累積參數(shù)達(dá)到對應(yīng)的預(yù)設(shè)閾值時，自動控制半導(dǎo)體工藝設(shè)備執(zhí)行該清潔模式對應(yīng)的腔室清潔任務(wù)，實現(xiàn)自動對反應(yīng)腔室進(jìn)行清潔，減小膜厚記錄誤差，并降低用人成本、節(jié)約設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)時間。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體工藝方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體工藝方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝方法包括： 在當(dāng)前的晶圓加工任務(wù)完成后，確定至少一個清潔模式當(dāng)前的膜厚累積參數(shù)，其中，所述清潔模式的數(shù)量為多個，每個所述清潔模式均具有對應(yīng)的優(yōu)先級； 對于任一所述清潔模式，當(dāng)該清潔模式的所述膜厚累積參數(shù)達(dá)到該清潔模式對應(yīng)的預(yù)設(shè)閾值時，執(zhí)行該清潔模式對應(yīng)的腔室清潔任務(wù)； 當(dāng)多個所述清潔模式的所述膜厚累積參數(shù)同時達(dá)到各自對應(yīng)的預(yù)設(shè)閾值時，按照多個所述清潔模式的優(yōu)先級依次執(zhí)行多個所述清潔模式對應(yīng)的多個所述腔室清潔任務(wù)； 在執(zhí)行所述腔室清潔任務(wù)后，將該腔室清潔任務(wù)對應(yīng)的所述清潔模式的所述膜厚累積參數(shù)清零； 其中，所述確定至少一個清潔模式的膜厚累積參數(shù)，包括：將當(dāng)前的所述晶圓加工任務(wù)對應(yīng)的膜厚參數(shù)增加至每個所述清潔模式歷史的所述膜厚累積參數(shù)，得到每個所述清潔模式當(dāng)前的所述膜厚累積參數(shù)。

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