西安電子科技大學張雅超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利采用低溫脈沖層在金剛石上外延β-Ga2O3薄膜的制備方法及結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530366B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210009984.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權采用低溫脈沖層在金剛石上外延β-Ga2O3薄膜的制備方法及結構是由張雅超;李一帆;張進成;馬金榜;馬佩軍;郝躍設計研發完成，并于2022-01-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本采用低溫脈沖層在金剛石上外延β-Ga2O3薄膜的制備方法及結構在說明書摘要公布了：本發明涉及一種采用低溫脈沖層在金剛石上外延β?Ga2O3薄膜的制備方法及結構，方法包括：制備襯底層1；在所述襯底層1上制備低溫脈沖層2；在所述低溫脈沖層2上制備薄膜層3。本發明解決了高溫下無法在金剛石襯底層上外延β?Ga2O3的問題。本發明解決了高溫下無法在金剛石襯底上外延β?Ga2O3的問題。本發明通過引入低溫脈沖層，極大減少了氧氣對襯底的刻蝕作用。同時顯著提升外延層質量，降低了外延層的位錯與缺陷，顯著提高氧化鎵外延層的熱導率，對后續的氧化鎵異質外延與大功率以及高頻電力電子器件提供了良好的材料性能支撐。
本發明授權采用低溫脈沖層在金剛石上外延β-Ga2O3薄膜的制備方法及結構在權利要求書中公布了：1.一種采用低溫脈沖層在金剛石上外延β-Ga2O3薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 制備襯底層1，所述襯底層1包括金剛石襯底層； 在所述襯底層1上制備低溫脈沖層2，包括：利用MOCVD設備在所述金剛石襯底層上制備低溫脈沖層2，在MOCVD反應室中，調整TEGa流量為20-60sccm，氧氣流量為2000-2600sccm，生長溫度為300-500℃，生長壓力控制在35-50Torr，在所述金剛石襯底層上生長50-200次脈沖的低溫脈沖層2，其中，每個脈沖周期分別先后通入Ga和O，Ga和O的通入時間比為3：1； 在所述低溫脈沖層2上制備薄膜層3。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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