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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利AlGaInP基紅光發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639761B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210087945.6，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權AlGaInP基紅光發光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;朱廣敏設計研發完成，并于2022-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本AlGaInP基紅光發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種AlGaInP基紅光發光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該AlGaInP基紅光發光二極管芯片包括：基板、發光結構、分布式布拉格反射鏡層、鈍化層、第一焊點塊和第二焊點塊；發光結構、分布式布拉格反射鏡層和鈍化層依次層疊在基板上，鈍化層上具有露出分布式布拉格反射鏡層的第一通孔和第二通孔，第一通孔的孔壁和第二通孔的孔壁具有凹凸結構；第一焊點塊位于第一通孔內，且與第一通孔的孔壁貼合，第二焊點塊位于第二通孔內，且與第二通孔的孔壁貼合。本公開實施例能改善焊點塊與過孔之間產生相對松動的問題，讓發光結構良好地固定在芯片內，提升芯片的可靠性。

本發明授權AlGaInP基紅光發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種AlGaInP基紅光發光二極管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基紅光發光二極管芯片包括：基板10、發光結構20、分布式布拉格反射鏡層30、鈍化層40、第一焊點塊51和第二焊點塊52； 所述發光結構20、所述分布式布拉格反射鏡層30和所述鈍化層40依次層疊在所述基板10上，所述鈍化層40上具有露出所述分布式布拉格反射鏡層30的第一通孔41和第二通孔42，所述第一通孔41的孔壁和所述第二通孔42的孔壁具有凹凸結構43，同一通孔中，相鄰兩個孔壁上的所述凹凸結構43斷開； 所述第一焊點塊51位于所述第一通孔41內，且與所述第一通孔41的孔壁貼合，所述第二焊點塊52位于所述第二通孔42內，且與所述第二通孔42的孔壁貼合； 所述第一焊點塊51和所述第二焊點塊52均包括依次層疊的Ti層510、第一Ni層520、復合層530、第二Ni層540和Sn合金層550，所述復合層530包括依次層疊的第一合金層531、W層532和第二合金層533，所述第一合金層531和所述第二合金層533均包括W和Ni，所述鈍化層40的厚度不小于所述Ti層510、所述第一Ni層520和所述復合層530的厚度之和，所述鈍化層40的厚度是8000埃至12000埃； 所述第一合金層531中，W的質量百分比為10％至30％，Ni的質量百分比為70％至90％；所述第二合金層533中，W的質量百分比為10％至30％，Ni的質量百分比為70％至90％； 所述Ti層510的厚度為800埃至1200埃，所述第一Ni層520的厚度為800埃至1200埃，所述復合層530的厚度為4000埃至6000埃，所述第二Ni層540的厚度為2500埃至3500埃，所述Sn合金層550的厚度為80000埃至100000埃；所述復合層530中，所述第一合金層531的厚度為800埃至1200埃，所述W層532的厚度為2500埃至3500埃，所述第二合金層533的厚度為800埃至1200埃。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。