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龍圖騰網(wǎng)獲悉真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請的專利讀出放大器、存儲裝置以及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114708892B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210150312.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C7/06；該發(fā)明授權(quán)讀出放大器、存儲裝置以及電子設(shè)備是由池性洙;金基鎬;金正鎬;孫周煥;易莎設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-02-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本讀出放大器、存儲裝置以及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本公開公開涉及讀出放大器、包括該讀出放大器的存儲裝置以及包括該存儲裝置的電子設(shè)備，該讀出放大器包括：第一隔離單元；第二隔離單元；第一偏移消除單元；第二偏移消除單元；以及感測放大單元，其包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，讀出放大器還包括第一均衡單元和第二均衡單元中的至少一者，其中第一均衡單元配置成選擇性地將預(yù)充電電壓施加到位線，且第二均衡單元配置成選擇性地將預(yù)充電電壓施加到互補位線。由此，能夠改善預(yù)充電操作中對位線的均衡性能，從而提高讀出放大器的感測效率。

本發(fā)明授權(quán)讀出放大器、存儲裝置以及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于存儲裝置的讀出放大器，包括： 第一隔離單元，其配置成選擇性地連接位線和感測位線； 第二隔離單元，其配置成選擇性地連接互補位線和互補感測位線； 第一偏移消除單元，其配置成選擇性地連接所述位線和所述互補感測位線； 第二偏移消除單元，其配置成選擇性地連接所述互補位線和所述感測位線；以及 感測放大單元，其包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中所述第一NMOS晶體管響應(yīng)于所述位線的信號連接或斷開所述互補感測位線和第一感測驅(qū)動信號線，所述第二NMOS晶體管響應(yīng)于所述互補位線的信號連接或斷開所述感測位線和第二感測驅(qū)動信號線，所述第一PMOS晶體管響應(yīng)于所述感測位線的信號連接或斷開所述互補感測位線和第三感測驅(qū)動信號線，所述第二PMOS晶體管響應(yīng)于所述互補感測位線的信號連接或斷開所述感測位線和第四感測驅(qū)動信號線， 所述讀出放大器還包括第一均衡單元和第二均衡單元中的至少一者，其中所述第一均衡單元連接在所述位線上，所述第二均衡單元連接在所述互補位線上，所述第一均衡單元配置成選擇性地將預(yù)充電電壓施加到所述位線，且所述第二均衡單元配置成選擇性地將所述預(yù)充電電壓施加到所述互補位線。

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