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龍圖騰網獲悉黑龍江大學申請的專利一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639777B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210182692.0，技術領域涉及：H10N50/01；該發(fā)明授權一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法是由趙曉鋒;車昊陽;于志鵬;溫殿忠設計研發(fā)完成，并于2022-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管及其制作工藝方法，該結構包括SOI器件硅層內引線、SiO2介質隔離環(huán)和磁敏感區(qū)等，通過器件硅層內引線將發(fā)射極E從器件硅層的下表面引至器件硅層的上表面，使基極B、集電極C和發(fā)射極E均位于器件硅層的上表面，同時通過SiO2介質隔離環(huán)進行內引線區(qū)和磁敏感區(qū)的隔離，抑制內引線區(qū)雜質橫向擴散對磁敏感區(qū)的影響。通過采用SOI工藝和CMOS工藝相結合，實現(xiàn)了立體硅磁敏感三極管的三個電極E、B和C平面化，突破了該器件發(fā)射區(qū)內引線制作工藝難點，為器件的集成化、小型化和批量化生產奠定基礎，同時進一步提高了立體結構磁敏三極管在磁場測量中的準確度。

本發(fā)明授權一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種平面化電極結構的立體硅磁敏三極管的制作工藝方法，其特征在于，所述平面化電極結構的立體硅磁敏三極管包括SOI器件硅層內引線（5）、SiO2介質隔離環(huán)（6）和磁敏感區(qū)， 所述SiO2介質隔離環(huán)（6）位于第一硅片（1），并貫穿第一硅片（1），SiO2介質隔離環(huán)（6）在第一硅片（1）中形成多個隔離區(qū)域，器件硅層內引線（5）和磁敏感區(qū)均分布在隔離區(qū)域中， 所述方法包括以下步驟： 步驟1、清洗硅片，0次光刻，在硅片上表面和下表面通過干法刻蝕對版標記； 步驟2、清洗硅片，一次光刻，在硅片的下表面光刻隔離槽窗口，沉積SiO2隔離介質，制作SiO2介質隔離環(huán)（6），對硅片下表面進行平坦化工藝處理； 步驟3、清洗硅片，在硅片下表面熱氧化法生長SiO2層，作為離子注入緩沖層； 步驟4、二次光刻，光刻內引線窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作器件硅層內引線（5），并高溫退火，所述高溫退火溫度為900～1200℃，對硅片下表面進行平坦化工藝處理； 步驟5、三次光刻，光刻發(fā)射區(qū)窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作發(fā)射區(qū)（4），并高溫退火，對硅片下表面進行平坦化工藝處理，所述高溫退火溫度為900～1200℃； 步驟6、清洗硅片和第二硅片（2），在第二硅片（2）的上表面和下表面熱生長SiO2層，并將第二硅片（2）的上表面與硅片的下表面鍵合； 步驟7、0'次光刻，雙面光刻轉移硅片上表面對版標記至第二硅片（2）下表面； 步驟8、減薄硅片上表面，形成SOI晶圓，減薄后的硅片稱為第一硅片（1），即器件硅層； 步驟9、四次光刻，光刻集電極負載電阻R L窗口和基極負載電阻R b窗口，離子注入，在第一硅片（1）的上表面形成n-型摻雜，制作集電極負載電阻R L和基極負載電阻R b； 步驟10、五次光刻，光刻集電區(qū)窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作集電區(qū)（7）； 步驟11、六次光刻，光刻基區(qū)窗口，離子注入，形成p+型重摻雜，制作基區(qū)（8），并高溫退火，退火溫度為1000～1200℃； 步驟12、清洗第一硅片（1），在第一硅片（1）上表面沉積SiO2層，作為絕緣層； 步驟13、七次光刻，在第一硅片（1）的上表面刻蝕引線孔，蒸鍍金屬Al層； 步驟14、八次光刻，刻蝕金屬層，形成互連線和壓焊點，金屬合金化工藝，形成歐姆接觸； 步驟15、清洗鍵合硅片，在第一硅片（1）的上表面沉積氮化硅（Si3N4）層，作為鈍化層； 步驟16、九次光刻，刻蝕鈍化層，形成壓焊點； 步驟17、清洗鍵合片，中測，劃片，無磁化封裝。

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