株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社間島秀明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利劣化檢查裝置以及劣化檢查方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115494363B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210208122.4，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權劣化檢查裝置以及劣化檢查方法是由間島秀明設計研發完成，并于2022-03-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本劣化檢查裝置以及劣化檢查方法在說明書摘要公布了：本實施方式涉及劣化檢查裝置以及劣化檢查方法。根據一個實施方式，劣化檢查裝置具備：電感器，串聯連接于作為被檢查對象的MOS晶體管的主電流路，在上述MOS晶體管為導通狀態時與上述MOS晶體管一起構成閉環；控制電路，對上述MOS晶體管的導通截止進行控制；電流傳感器，檢測上述電感器釋放的電流；以及計算電路，根據上述MOS晶體管為導通狀態時上述電感器釋放的電流的衰減特性計算上述MOS晶體管的導通電阻，根據上述MOS晶體管為截止狀態時上述電感器釋放的電流的衰減特性計算上述MOS晶體管的閾值電壓。
本發明授權劣化檢查裝置以及劣化檢查方法在權利要求書中公布了：1.一種劣化檢查裝置，具備： 電感器，串聯連接于作為被檢查對象的MOS晶體管的主電流路，在上述MOS晶體管為導通狀態時與上述MOS晶體管一起構成閉環； 控制電路，對上述MOS晶體管的導通截止進行控制； 電流傳感器，檢測上述電感器釋放的電流； 計算電路，根據上述MOS晶體管為導通狀態時上述電感器釋放的電流的衰減特性的斜率計算上述MOS晶體管的導通電阻，根據上述MOS晶體管為截止狀態時上述電感器釋放的電流的衰減特性的斜率計算上述MOS晶體管的閾值電壓；以及 判定電路，將預先設定的導通電阻以及閾值電壓的閾值與上述計算電路計算出的上述MOS晶體管的導通電阻以及閾值電壓進行比較而判定上述MOS晶體管的劣化狀態。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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