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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學(xué)申請(qǐng)的專利基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114628427B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210264075.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器及制備方法是由王肖沐;劉媛;王軍轉(zhuǎn);施毅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器制備方法，包括：1利用背照式CMOS工藝形成Si襯底；2獲得單層或多層石墨烯；3將所述單層石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟1的Si襯底上。本發(fā)明的石墨烯紅外探測(cè)器的背照式CMOS制備工藝使電氣組件與光線分離，避免了金屬布線層對(duì)光的吸收、反射，從而獲得更高的量子效率，實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的成像。采用石墨烯作為吸光的材料，因其極高的載流子遷移率及對(duì)紅外波段的寬譜吸收，使得本發(fā)明所述石墨烯紅外光探測(cè)器具有極快的響應(yīng)速度和全波段的響應(yīng)帶寬。

本發(fā)明授權(quán)基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.基于背照式CMOS工藝的石墨烯紅外探測(cè)器，包括硅襯底層（2）、支撐襯底（12）、CMOS前端工藝制作的晶體管及金屬互連層以及TSV通孔（13）；所述CMOS前端工藝制作的晶體管和金屬互聯(lián)層設(shè)置于鍵合起來的硅襯底層（2）和支撐襯底（12）之間； 所述CMOS前端工藝制作的晶體管包括設(shè)置于硅襯底層（2）底面的硅阱（3），所述硅阱（3）上設(shè)置有源區(qū)（4）和漏區(qū)（5），所述源區(qū)（4）和漏區(qū)（5）之間設(shè)置有柵極（6），所述源區(qū)（4）、漏區(qū)（5）及柵極（6）的表面沉積有緩沖隔離層（7）；所述緩沖隔離層（7）表面沉積有硼磷硅玻璃層（8），所述硼磷硅玻璃層（8）下方沉積有金屬絕緣體材料層，所述硼磷硅玻璃層（8）和金屬絕緣體材料層內(nèi)分布有所述金屬互聯(lián)層； 所述金屬互聯(lián)層包括若干層內(nèi)部填充有金屬材料的接觸通孔（9），最上面的兩個(gè)接觸通孔（9）內(nèi)的金屬材料分別與漏區(qū)（4）和源區(qū)（5）連接，相鄰兩層接觸通孔（9）通過金屬鋁層（10）連接； 所述TSV通孔（13）從上至下貫穿于所述硅襯底層（2）、硅阱（3）、緩沖隔離層（7）、硼磷硅玻璃層（8）后至金屬鋁層（10）表面，所述TSV通孔（13）表面沉積有第二鈍化層（14）。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南京大學(xué)，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大道163號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。