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龍圖騰網獲悉清矽微電子(南京)有限公司申請的專利一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114740431B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210310308.0，技術領域涉及：G01S7/02；該發明授權一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法是由何建中;張雷;方然設計研發完成，并于2022-03-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法，包括包括：分配網絡、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、二選一電路、倍頻電路和第四放大電路；所述分配網絡分別連接所述第一放大電路的輸入端和所述第二放大電路的輸出端，所述第一放大電路的輸出端連接所述二選一電路的一路輸入端，所述二選一電路的另一路輸入端連接所述第三放大電路的輸出端和所述第二放大電路的輸入端，所述二選一電路的輸出端連接所述倍頻電路的輸入端，所述倍頻電路的輸出端連接所述第四放大電路的輸入端；所述第一放大電路連接控制信號S1，所述第二放大電路連接控制信號S2，所述第三放大電路連接控制信號S3，所述二選一電路連接控制信號S4。結合片上毫米波雷達多模式工作需求，采用高集成度的分配網絡和一系列控制開關，對毫米波雷達本振鏈路進行優化設計，在保證毫米波雷達多模式硬件兼容的同時，壓縮了芯片面積，降低了芯片成本。

本發明授權一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法在權利要求書中公布了：1.一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路，其特征在于，包括：分配網絡、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、二選一電路、倍頻電路和第四放大電路；所述分配網絡分別連接所述第一放大電路的輸入端和所述第二放大電路的輸出端，所述第一放大電路的輸出端連接所述二選一電路的一路輸入端，所述二選一電路的另一路輸入端連接所述第三放大電路的輸出端和所述第二放大電路的輸入端，所述二選一電路的輸出端連接所述倍頻電路的輸入端，所述倍頻電路的輸出端連接所述第四放大電路的輸入端；所述第一放大電路連接控制信號S1，所述第二放大電路連接控制信號S2，所述第三放大電路連接控制信號S3，所述二選一電路連接控制信號S4； 其中，所述分配網絡包括：多端口變壓器B1、N型MOS晶體管M1、N型MOS晶體管M3、N型MOS晶體管M5、N型MOS晶體管M7、P型MOS晶體管M2、P型MOS晶體管M4、P型MOS晶體管M6、P型MOS晶體管M8、反相器I1、反相器I2、電容C1、電容C2；所述多端口變壓器B1包括主級線圈L1、第一次級線圈L2和第二次級線圈L3；所述線圈L1兩端分別接端口a和地，所述線圈L2兩端分別接端口b和端口e，所述線圈L3兩端分別接端口d和端口c；所述N型MOS晶體管M1和所述P型MOS晶體管M2的源漏兩端并聯分別接端口b和電壓V1，所述N型MOS晶體管M3和所述P型MOS晶體管M4的源漏兩端并聯分別接端口c和電壓V1，所述P型MOS晶體管M2和所述P型MOS晶體管M4接所述反相器I1的輸入端和控制信號D1，所述N型MOS晶體管M1和所述N型MOS晶體管M3接反相器I1的輸出端；所述N型MOS晶體管M5和所述P型MOS晶體管M6的源漏兩端并聯分別接端口e和電壓V2，所述N型MOS晶體管M7和所述P型MOS晶體管M8的源漏兩端并聯分別接端口d和電壓V2，所述P型MOS晶體管M6和所述P型MOS晶體管M8接所述反相器I2的輸入端和控制信號D2，所述N型MOS晶體管M5和所述N型MOS晶體管M7接反相器I2的輸出端；所述電容C1兩端分別接電壓V1和地，所述電容C2兩端分別接電壓V2和地； 所述第一放大電路、所述第二放大電路和所述第三放大電路分別通過控制信號S1、S2和S3實現關閉功能；所述二選一電路通過控制信號S4實現二選一切換功能。

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