南京理工大學(xué)吳立志獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京理工大學(xué)申請(qǐng)的專利基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114890377B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210437303.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:B81C1/00;該發(fā)明授權(quán)基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法是由吳立志;袁浩方;支天金;謝天宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-04-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明公開(kāi)了一種基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法,包括如下步驟:首先將光纖端面預(yù)處理,包括拋光、清洗、烘干;再將光纖放入設(shè)計(jì)好的模具中,對(duì)光纖端面依次經(jīng)過(guò)一次光刻涂膠、曝光、顯影,磁控濺射、去膠,制備出燒蝕層和隔熱層;然后在一次光刻的薄膜上依次經(jīng)過(guò)二次光刻、磁控濺射、去膠,制備出飛片層,獲得光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元。利用MEMS工藝制備的臺(tái)階型激光飛片換能元優(yōu)勢(shì)是將飛片薄膜直接鍍?cè)诠饫w端面,重復(fù)性好,成本低,且由于減少光纖輸出端激光的發(fā)散,提高了光纖末端換能元的能量耦合效率。由于換能元臺(tái)階型,有效降低等離子體因飛片剪切造成的能量浪費(fèi),有利于降低光纖式激光飛片換能元的沖擊起爆閾值。
本發(fā)明授權(quán)基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基于MEMS工藝的光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元制備方法,其特征在于,該方法包括如下步驟: 首先將光纖端面預(yù)處理:拋光、清洗、烘干; 再將光纖放入模具中,對(duì)光纖端面依次經(jīng)過(guò)一次光刻:涂膠、曝光、顯影, 進(jìn)行磁控濺射、去膠,制備出燒蝕層和隔熱層; 在一次光刻的薄膜上依次經(jīng)過(guò)二次光刻、磁控濺射、去膠,制備出飛片層,獲得光纖式臺(tái)階型激光飛片換能元; 短石英光纖作為鍍膜基底;結(jié)構(gòu)為燒蝕層-隔熱層-沖擊層,其中,燒蝕層為Al,隔熱層為Al2O3,飛片層為Al;形狀為臺(tái)階型,其中飛片層直徑小于燒蝕層和隔熱層直徑,并與加速膛直徑匹配;光纖的芯徑為0.8mm與1.0mm。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人南京理工大學(xué),其通訊地址為:210094 江蘇省南京市孝陵衛(wèi)街200號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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