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龍圖騰網獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種mini-LED芯片及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975715B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210620906.8，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權一種mini-LED芯片及制備方法是由劉偉;劉英策;鄔新根;林鋒杰;王銳;蔡建九;崔恒平設計研發完成，并于2022-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種mini-LED芯片及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種mini?LED芯片及制備方法，在該mini?LED芯片中，復合透明導電層中的歐姆接觸層降低了復合透明導電層的歐姆接觸電阻，提升了與P型層的歐姆接觸，第一透明導電層提升了電子濃度與電流擴展能力，第二透明導電層提升了導電膜穿透率，兩個透明導電層進一步提升了電流傳導能力以及抗ESD能力，納米層提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，該復合透明導電層提升了芯片的散熱能力，降低了熱效應的產生；此外增粘截止層提升了復合DBR反射層與復合透明導電層的粘附性、水汽隔絕層提升了防水汽侵蝕能力，并且采用間歇式離子鍍膜，降低了復合DBR反射層的膜層應力，提高了芯片的可靠性。

本發明授權一種mini-LED芯片及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種mini-LED芯片，其特征在于，所述mini-LED芯片包括： 襯底； 位于所述襯底一側的外延層；所述外延層包括在第一方向上依次堆疊設置的N型層、有源層以及P型層；所述外延層上有第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分N型層； 位于所述P型層背離所述襯底一側的復合透明導電層，所述復合透明導電層包括在所述第一方向上依次堆疊設置的歐姆接觸層、第一透明導電層、第二透明導電層以及納米層； 所述第一方向垂直于所述襯底所在平面，且由所述襯底指向所述復合透明導電層； 位于所述復合透明導電層背離所述襯底一側的增粘截止層，所述增粘截止層上包括第二凹槽，所述第二凹槽暴露出復合透明導電層，所述增粘截止層的材料為ZrO2材料或Y2O3材料或SiNx材料； 位于所述增粘截止層背離所述襯底一側的復合DBR反射層；所述復合DBR反射層包括在所述第一方向上堆疊設置的刻蝕截止層以及第一疊層；所述第一疊層包括在所述第一方向上依次交替堆疊設置的SiO2層以及Ti3O5層； 焊盤，其中一個所述焊盤貫穿所述復合DBR反射層，在所述第一凹槽直接與N型層接觸，另一個所述焊盤貫穿所述復合DBR反射層，在所述第二凹槽直接與復合透明導電層接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門乾照光電股份有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市火炬高新區（翔安）產業區翔天路259-269號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。