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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種傳輸門電路的版圖及其設(shè)計(jì)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115034166B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210736935.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/36；該發(fā)明授權(quán)一種傳輸門電路的版圖及其設(shè)計(jì)方法是由顏志豪;張俊;張澤飛;王建;吳永一設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種傳輸門電路的版圖及其設(shè)計(jì)方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種傳輸門電路的版圖及其設(shè)計(jì)方法，其中，該方法包括：將多個(gè)PMOS管沿第一方向并排放置，多個(gè)NMOS管與多個(gè)PMOS管一一對(duì)應(yīng)且并排放置于多個(gè)PMOS管下方。每個(gè)PMOS管的源極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的NMOS管的源極連接，每個(gè)PMOS管的漏極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的NMOS管的漏極連接。每個(gè)PMOS管的柵極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的NMOS管的柵極均與不同的控制信號(hào)線連接。將每個(gè)PMOS管的源極相連接并沿第一方向布置第一信號(hào)線，將每個(gè)NMOS管的漏極相連接并沿第一方向布置第二信號(hào)線。將多個(gè)NMOS管的P型襯底與地線連接，地線呈封閉對(duì)稱布置。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌鎴D設(shè)計(jì)方法使第一信號(hào)線和第二信號(hào)線分別對(duì)地線產(chǎn)生的寄生電容達(dá)到匹配，減小了寄生電容對(duì)電路性能的影響。

本發(fā)明授權(quán)一種傳輸門電路的版圖及其設(shè)計(jì)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種傳輸門電路的版圖設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述方法包括： 將多個(gè)PMOS管沿第一方向并排放置，多個(gè)NMOS管與所述多個(gè)PMOS管一一對(duì)應(yīng)且并排放置于所述多個(gè)PMOS管下方； 每個(gè)所述PMOS管的源極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的所述NMOS管的源極連接，每個(gè)所述PMOS管的漏極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的所述NMOS管的漏極連接，每個(gè)所述PMOS管的柵極和對(duì)應(yīng)設(shè)置于其下方的所述NMOS管的柵極均與不同的控制信號(hào)線連接； 將每個(gè)所述PMOS管的所述源極相連接并沿第一方向布置第一信號(hào)線； 將每個(gè)所述NMOS管的所述漏極相連接并沿所述第一方向布置第二信號(hào)線； 將所述多個(gè)NMOS管的P型襯底與地線連接，所述地線呈封閉對(duì)稱布置，并將所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線相對(duì)于所述地線對(duì)稱分布，使得所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線分別到所述地線的距離相等。

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