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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利改善散熱的發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274962B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210769283.0，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權改善散熱的發光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;張威設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本改善散熱的發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善散熱的發光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管芯片包括：基板、發光結構、第一電極和第二電極；所述發光結構包括依次層疊于所述基板上的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述第二半導體層的表面具有露出所述第一半導體層的凹槽，所述第一電極位于所述凹槽內，所述第二電極包括間隔排布的多個子電極，多個所述子電極位于所述第二半導體層遠離所述基板的一側。本公開實施例能提升芯片的散熱能力，改善芯片電氣過應力下降的問題。

本發明授權改善散熱的發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種改善散熱的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括：基板（10）、發光結構（20）、第一電極（31）和第二電極（32）； 所述發光結構（20）包括依次層疊于所述基板（10）上的第一半導體層（21）、多量子阱層（22）和第二半導體層（23），所述第二半導體層（23）的表面具有露出所述第一半導體層（21）的凹槽（24），所述第一電極（31）位于所述凹槽（24）內，所述第二電極（32）包括間隔排布的多個子電極（321），多個所述子電極（321）位于所述第二半導體層（23）遠離所述基板（10）的一側； 所述發光二極管芯片還包括鈍化層（40），所述鈍化層（40）至少位于所述第二半導體層（23）、所述第一電極（31）、所述凹槽（24）和所述第二電極（32）上，所述鈍化層（40）具有通孔（41）和多個凹孔（42），所述通孔（41）露出所述第一電極（31），多個所述凹孔（42）與多個所述子電極（321）一一對應； 所述凹孔（42）的底面到所述子電極（321）的距離與所述凹孔（42）至所述第一電極（31）的距離負相關，所述凹孔（42）內具有所述鈍化層（40）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。