東南大學胡三明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東南大學申請的專利一種基于耦合線的高隔離度開關芯片拓撲結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115149938B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210767982.1，技術領域涉及：H03K19/0175；該發明授權一種基于耦合線的高隔離度開關芯片拓撲結構是由胡三明;顏凡桓;沈一竹設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于耦合線的高隔離度開關芯片拓撲結構在說明書摘要公布了：本發明提出一種基于耦合線的高隔離度片上開關拓撲結構，該結構包括主耦合線，第一副耦合線和第二副耦合線，輔助耦合線，匹配電容，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管，第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻，第一偏置電壓，第二偏置電壓，射頻輸入端口，第一射頻輸出端口，第二射頻輸出端口。當第一偏置電壓為低電平，第二偏置電壓為高電平時，射頻輸入端口和第一射頻輸出端口之間導通，射頻輸入端口和第二射頻輸出端口之間關斷。輔助耦合線在降低插入損耗的同時可以顯著增強第一射頻輸出端口和第二射頻輸出端口之間的隔離度。本發明在縮小芯片面積的同時，解決了片上射頻開關隔離度低的關鍵難題。
本發明授權一種基于耦合線的高隔離度開關芯片拓撲結構在權利要求書中公布了：1.一種基于耦合線的高隔離度片上開關拓撲結構，其特征在于，該結構包括輸入模塊，隔離增強模塊以及輸出模塊；所述輸入模塊包括主耦合線M1和匹配電容C1；所述匹配電容C1一端分別與射頻輸入端口RFin和主耦合線M1一端連接，并且，匹配電容C1另一端接地，主耦合線M1另一端接地，輸入模塊與隔離增強模塊和輸出模塊間通過耦合線形成互感； 所述隔離增強模塊包括輔助耦合線A4，第三晶體管FET_3和第四晶體管FET_4，所述輔助耦合線A4的一端接地，所述輔助耦合線A4另一端接晶體管第三晶體管FET_3和第四晶體管FET_4的漏極，第三晶體管FET_3的柵極連接第三電阻RG_3到第二偏置電壓VCC，第四晶體管FET_4的柵極連接第四電阻RG_4到第一偏置電壓VDD；所述第三晶體管FET_3和第四晶體管FET_4的源極分別連接第一射頻輸出端口RFout1和第二射頻輸出端口RFout2。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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